ログイン 新規登録
言語:

WEKO3

  • トップ
  • ランキング
To
lat lon distance
To

Field does not validate



インデックスリンク

インデックスツリー

メールアドレスを入力してください。

WEKO

One fine body…

WEKO

One fine body…

アイテム

  1. 研究報告
  2. システムとLSIの設計技術(SLDM)
  3. 2013
  4. 2013-SLDM-163

不揮発メモリを対象とした書き込み削減手法のエネルギー評価

https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/96091
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/96091
0bb022b1-8904-44b0-bfe7-5ac1460becf9
名前 / ファイル ライセンス アクション
IPSJ-SLDM13163026.pdf IPSJ-SLDM13163026.pdf (386.2 kB)
 2100年1月1日からダウンロード可能です。
Copyright (c) 2013 by the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
This SIG report is only available to those in membership of the SIG.
SLDM:会員:¥0, DLIB:会員:¥0
Item type SIG Technical Reports(1)
公開日 2013-11-20
タイトル
タイトル 不揮発メモリを対象とした書き込み削減手法のエネルギー評価
タイトル
言語 en
タイトル Energy Evaluation of Writing Reduction Method for Non-Volatile Memory
言語
言語 jpn
キーワード
主題Scheme Other
主題 低消費電力技術
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh
資源タイプ technical report
著者所属
早稲田大学大学院基幹理工学研究科情報理工学専攻
著者所属
早稲田大学大学院情報生産システム研究科
著者所属
稲田大学大学院基幹理工学研究科電子光システム学専攻
著者所属
早稲田大学大学院基幹理工学研究科情報理工学専攻
著者所属(英)
en
Dept. of Computer Science and Engineering, Waseda University
著者所属(英)
en
Graduate School of Infomation, Production and Systems, Waseda University
著者所属(英)
en
Dept. of Electronic and Photonic Systems, Waseda University
著者所属(英)
en
Dept. of Computer Science and Engineering, Waseda University
著者名 多和田, 雅師 木村, 晋二 柳澤, 政生 戸川, 望

× 多和田, 雅師 木村, 晋二 柳澤, 政生 戸川, 望

多和田, 雅師
木村, 晋二
柳澤, 政生
戸川, 望

Search repository
著者名(英) Masashi, Tawada Shinji, Kimura Masao, Yanagisawa Nozomu, Togawa

× Masashi, Tawada Shinji, Kimura Masao, Yanagisawa Nozomu, Togawa

en Masashi, Tawada
Shinji, Kimura
Masao, Yanagisawa
Nozomu, Togawa

Search repository
論文抄録
内容記述タイプ Other
内容記述 近年の高集積化に伴い消費電力全体に対するリーク電力の割合が高まっている.不揮発メモリはリーク電力をほとんど消費しないため次世代のメモリとして期待されている.不揮発メモリは通常のメモリより書き込み時に電力を消費する問題がある.不揮発メモリの書き込み電力を低減するためには,書き込みピット数を削減する手法が考えられる.メモリの値をある値から違う値へ書き換えるとき,実際に保存する値を符号化することで,本来書き換えるビット数よりも実際に書き込むピット数を少なくすることができる.本稿では不揮発メモリを対象とした書き込みピット数削減手法のエネルギーを評価する.
論文抄録(英)
内容記述タイプ Other
内容記述 Non-volatile memory has many advantages over SRAM, such as high density, low leakage power, and non-volatility. However, one of its largest problems is that it consumes a large amount of energy in writing. It is quite necessary to reduce the number of writing bits and thus decrease its writing energy.We have proposed a memory writing reduction method based on error correcting codes. When a data is written into a memory, we do not write it directly but encode it into a codeword. Then the number of writing bits into memory is also limited in data writing. In this paper, we demonstrate several experimental evaluations from the viewpoints of energy reduction and discuss the effectiveness of our proposed writing-reduction codes.
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA11451459
書誌情報 研究報告システムLSI設計技術(SLDM)

巻 2013-SLDM-163, 号 26, p. 1-6, 発行日 2013-11-20
Notice
SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc.
出版者
言語 ja
出版者 情報処理学会
戻る
0
views
See details
Views

Versions

Ver.1 2025-01-21 13:26:59.847907
Show All versions

Share

Mendeley Twitter Facebook Print Addthis

Cite as

エクスポート

OAI-PMH
  • OAI-PMH JPCOAR
  • OAI-PMH DublinCore
  • OAI-PMH DDI
Other Formats
  • JSON
  • BIBTEX

Confirm


Powered by WEKO3


Powered by WEKO3