@techreport{oai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:00096091, author = {多和田, 雅師 and 木村, 晋二 and 柳澤, 政生 and 戸川, 望 and Masashi, Tawada and Shinji, Kimura and Masao, Yanagisawa and Nozomu, Togawa}, issue = {26}, month = {Nov}, note = {近年の高集積化に伴い消費電力全体に対するリーク電力の割合が高まっている.不揮発メモリはリーク電力をほとんど消費しないため次世代のメモリとして期待されている.不揮発メモリは通常のメモリより書き込み時に電力を消費する問題がある.不揮発メモリの書き込み電力を低減するためには,書き込みピット数を削減する手法が考えられる.メモリの値をある値から違う値へ書き換えるとき,実際に保存する値を符号化することで,本来書き換えるビット数よりも実際に書き込むピット数を少なくすることができる.本稿では不揮発メモリを対象とした書き込みピット数削減手法のエネルギーを評価する., Non-volatile memory has many advantages over SRAM, such as high density, low leakage power, and non-volatility. However, one of its largest problems is that it consumes a large amount of energy in writing. It is quite necessary to reduce the number of writing bits and thus decrease its writing energy.We have proposed a memory writing reduction method based on error correcting codes. When a data is written into a memory, we do not write it directly but encode it into a codeword. Then the number of writing bits into memory is also limited in data writing. In this paper, we demonstrate several experimental evaluations from the viewpoints of energy reduction and discuss the effectiveness of our proposed writing-reduction codes.}, title = {不揮発メモリを対象とした書き込み削減手法のエネルギー評価}, year = {2013} }