| Item type |
SIG Technical Reports(1) |
| 公開日 |
2023-11-10 |
| タイトル |
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タイトル |
α線照射による65nmバルクプロセスにおけるPMOS及び NMOSトランジスタのSEU感度 |
| タイトル |
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言語 |
en |
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タイトル |
Evaluation of SEU Sensitivity by Alpha-Particle on PMOS and NMOS Transistors in a 65 nm Bulk Process |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
信頼性 |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| 著者所属 |
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京都工芸繊維大学 |
| 著者所属 |
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京都工芸繊維大学 |
| 著者所属 |
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京都工芸繊維大学 |
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京都工芸繊維大学 |
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京都工芸繊維大学 |
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京都工芸繊維大学 |
| 著者所属(英) |
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en |
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Kyoto Institute of Technology |
| 著者所属(英) |
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en |
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Kyoto Institute of Technology |
| 著者所属(英) |
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en |
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Kyoto Institute of Technology |
| 著者所属(英) |
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en |
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Kyoto Institute of Technology |
| 著者所属(英) |
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en |
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Kyoto Institute of Technology |
| 著者所属(英) |
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en |
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Kyoto Institute of Technology |
| 著者名 |
吉田, 圭汰
中島, 隆一
杉谷, 昇太郎
伊藤, 貴史
古田, 潤
小林, 和淑
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| 著者名(英) |
Keita, Yoshida
Ryuichi, Nakajima
Shotaro, Sugitani
Takafumi, Ito
Jun, Furuta
Kazutoshi, Kobayashi
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| 論文抄録 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
本稿では，PMOS 及び NMOS トランジスタを独立させた Single Event Upsets (SEU) 感度の測定手法を検討した．65 nm バルクプロセスで設計した測定回路を用いてα線照射実験を行ったところ，PMOS トランジスタの SEU 感度は NMOS トランジスタの約 1/50 であった．拡散層の面積とエラー率は単純な比例関係ではないことがわかった．拡散層と shallow trench isolation (STI) の距離が近いほど，放射線により発生する電荷の収集が妨げられることをデバイスシミュレーションを用いて確認した． |
| 論文抄録(英) |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
We investigate a method to measure the Single Event Upsets (SEU) sensitivity individually for PMOS and NMOS transistors. We performed ????-particle irradiation to a circuit fabricated in a 65 nm bulk process, . The SEU sensitivity of PMOS transistors is approximately 1/50 of that of NMOS transistors. Additionally, we investigated SEU rates by the drain area. The relationship between the area and SEU rates does not follow a linear function. We consider this phenomenon due to the proximity of the drain area to shallow trench isolation (STI), which prevents charge collection by a radiation strike. |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA11451459 |
| 書誌情報 |
研究報告システムとLSIの設計技術（SLDM）
巻 2023-SLDM-204,
号 6,
p. 1-6,
発行日 2023-11-10
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| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
2188-8639 |
| Notice |
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SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc. |
| 出版者 |
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言語 |
ja |
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出版者 |
情報処理学会 |
IPSJ-SLDM23204006.pdf (2.6 MB)
