ログイン 新規登録
言語:

WEKO3

  • トップ
  • ランキング
To
lat lon distance
To

Field does not validate



インデックスリンク

インデックスツリー

メールアドレスを入力してください。

WEKO

One fine body…

WEKO

One fine body…

アイテム

  1. シンポジウム
  2. シンポジウムシリーズ
  3. DAシンポジウム
  4. 2021

間欠動作を行うIoT向けプロセッサに適したFiCCを用いた不揮発スタンダードセルメモリの実測評価

https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/212618
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/212618
46a2d35d-8c30-47e4-9b47-4756c19fd6cc
名前 / ファイル ライセンス アクション
IPSJ-DAS2021003.pdf IPSJ-DAS2021003.pdf (1.8 MB)
Copyright (c) 2021 by the Information Processing Society of Japan
オープンアクセス
Item type Symposium(1)
公開日 2021-08-25
タイトル
タイトル 間欠動作を行うIoT向けプロセッサに適したFiCCを用いた不揮発スタンダードセルメモリの実測評価
タイトル
言語 en
タイトル Nonvolatile Standard Cell Memory Using FiCC for IoT Processors with Intermittent Operations
言語
言語 jpn
キーワード
主題Scheme Other
主題 低電力・低エネルギー設計
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_5794
資源タイプ conference paper
著者所属
京都工芸繊維大学電子システム工学専攻
著者所属
京都工芸繊維大学電子システム工学専攻
著者所属
大阪大学
著者所属
立命館大学
著者所属(英)
en
Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology
著者所属(英)
en
Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology
著者所属(英)
en
Osaka University
著者所属(英)
en
Ritsumeikan University
著者名 阿部, 佑貴

× 阿部, 佑貴

阿部, 佑貴

Search repository
小林, 和淑

× 小林, 和淑

小林, 和淑

Search repository
塩見, 準

× 塩見, 準

塩見, 準

Search repository
越智, 裕之

× 越智, 裕之

越智, 裕之

Search repository
著者名(英) Yuki, Abe

× Yuki, Abe

en Yuki, Abe

Search repository
Kazutoshi, Kobayashi

× Kazutoshi, Kobayashi

en Kazutoshi, Kobayashi

Search repository
Jun, Shiomi

× Jun, Shiomi

en Jun, Shiomi

Search repository
Hiroyuki, Ochi

× Hiroyuki, Ochi

en Hiroyuki, Ochi

Search repository
論文抄録
内容記述タイプ Other
内容記述 スタンダードセルを用いて論理合成と自動配置配線により設計するメモリをスタンダードセルメモリ (SCM) と呼ぶ.本稿では,間欠動作を行う IoT 向けプロセッサに適した FiCC (Fishbone-in-Cage Capacitor) を用いた不揮発スタンダードセルメモリ (NV-SCM) の実測について述べる.180nm プロセスを用いて,NV-SCM のレイアウト設計を行った.ビットセルの不揮発化による面積オーバーヘッドは 75% となった.実測により,動作周波数 10MHz における NV-SCM の動作を確認した.データ保持時間は不揮発メモリへの書き込み時間を 0.5 秒とした場合,約 60 分となった.また,1 時間の内,5 分の動作を仮定すると,NV-SCM は SCM と比べ,消費エネルギーを 35.2% 削減できることをシミュレーションにより示す.さらに不揮発プロセッサの設計に向けて,NV-SCM 用ビットセルの修正に加え,不揮発プロセッサ用フリップフロップを提案した.
論文抄録(英)
内容記述タイプ Other
内容記述 A standard cell memory (SCM) is a memory designed by logic synthesis and automatic placement and routing using standard cells. In this paper, we show the measurement results of a nonvolatile standard cell memory (NV-SCM) using a Fishbone-in-Cage Capacitor (FiCC), which is suitable for IoT processors with intermittent operations. The NV-SCM was fabricated in a 180nm CMOS process technology. The area overhead due to the nonvolatility of bit cells was 75%. In measurements, we confirmed the operation of the NV-SCM at an operating frequency of 10MHz. The data retention time was about 60 minutes when the writing time to the nonvolatile memory was 0.5 seconds. Assuming 5 minutes operation time per hour, the simulation results show that the NV-SCM can reduce 35.2% of energy consumption compared to the SCM. In addition, for the design of a nonvolatile processor, we modified a bit cell for NV-SCM and proposed a flip-flop for the nonvolatile processor.
書誌情報 DAシンポジウム2021論文集

巻 2021, p. 3-8, 発行日 2021-08-25
出版者
言語 ja
出版者 情報処理学会
戻る
0
views
See details
Views

Versions

Ver.1 2025-01-19 17:26:34.845125
Show All versions

Share

Mendeley Twitter Facebook Print Addthis

Cite as

エクスポート

OAI-PMH
  • OAI-PMH JPCOAR
  • OAI-PMH DublinCore
  • OAI-PMH DDI
Other Formats
  • JSON
  • BIBTEX

Confirm


Powered by WEKO3


Powered by WEKO3