WEKO3
アイテム
2入力と4入力の論理ゲートで構成されたリングオシレータを用いた経年劣化測定のための検討
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/240471
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/24047116e5887e-aa5b-4d26-b0f5-f0dd916b55b7
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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2026年10月31日からダウンロード可能です。
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Copyright (c) 2024 by the Information Processing Society of Japan
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非会員:¥660, IPSJ:学会員:¥330, SLDM:会員:¥0, DLIB:会員:¥0 |
Item type | SIG Technical Reports(1) | |||||||||
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公開日 | 2024-10-31 | |||||||||
タイトル | ||||||||||
タイトル | 2入力と4入力の論理ゲートで構成されたリングオシレータを用いた経年劣化測定のための検討 | |||||||||
言語 | ||||||||||
言語 | jpn | |||||||||
キーワード | ||||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||
主題 | ポスター | |||||||||
資源タイプ | ||||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh | |||||||||
資源タイプ | technical report | |||||||||
著者所属 | ||||||||||
富山県立大学工学部電気電子工学科 | ||||||||||
著者所属 | ||||||||||
富山県立大学工学部電気電子工学科 | ||||||||||
著者所属(英) | ||||||||||
en | ||||||||||
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Toyama Prefectural University | ||||||||||
著者所属(英) | ||||||||||
en | ||||||||||
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Toyama Prefectural University | ||||||||||
著者名 |
杉本, 太郎
× 杉本, 太郎
× 岸田, 亮
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論文抄録 | ||||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||||
内容記述 | MOSFET の信頼性における問題の 1 つであるバイアス温度不安定性 (Bias Temperature Instability,BTI) は,MOSFET のゲート酸化膜に電圧を印加することで,チャネルに誘起される電荷量が少なくなり,動作電流の減少やしきい値の劣化が起こる現象である.さらに BTI による劣化はストレスがないときには回復する.この現象を回路レベルで評価をするために,2 入力と 4 入力の論理ゲートを用いたリングオシレータの発振回数を測定し,発振周波数の劣化率を評価する.本回路を用いた測定により,PMOS と NMOS それぞれの BTI による劣化度合いとしきい値の変化を求めることができ,回路レベルでの評価ができる.現時点では測定用の回路基板作成が完了し,本測定に向けて制御信号記述などの準備を行っている. | |||||||||
書誌レコードID | ||||||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||
収録物識別子 | AA11451459 | |||||||||
書誌情報 |
研究報告システムとLSIの設計技術(SLDM) 巻 2024-SLDM-206, 号 4, p. 1-3, 発行日 2024-10-31 |
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ISSN | ||||||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||
収録物識別子 | 2188-8639 | |||||||||
Notice | ||||||||||
SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc. | ||||||||||
出版者 | ||||||||||
言語 | ja | |||||||||
出版者 | 情報処理学会 |