@techreport{oai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:00240471,
 author = {杉本, 太郎 and 岸田, 亮},
 issue = {4},
 month = {Oct},
 note = {MOSFET の信頼性における問題の 1 つであるバイアス温度不安定性 (Bias Temperature Instability，BTI) は，MOSFET のゲート酸化膜に電圧を印加することで，チャネルに誘起される電荷量が少なくなり，動作電流の減少やしきい値の劣化が起こる現象である．さらに BTI による劣化はストレスがないときには回復する．この現象を回路レベルで評価をするために，2 入力と 4 入力の論理ゲートを用いたリングオシレータの発振回数を測定し，発振周波数の劣化率を評価する．本回路を用いた測定により，PMOS と NMOS それぞれの BTI による劣化度合いとしきい値の変化を求めることができ，回路レベルでの評価ができる．現時点では測定用の回路基板作成が完了し，本測定に向けて制御信号記述などの準備を行っている．},
 title = {2入力と4入力の論理ゲートで構成されたリングオシレータを用いた経年劣化測定のための検討},
 year = {2024}
}