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  1. 研究報告
  2. システムとLSIの設計技術(SLDM)
  3. 2023
  4. 2023-SLDM-204

リーク電流による電荷蓄積型エイジングセンサ回路の提案と実機評価

https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/228881
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/228881
bb6c88f6-db8c-4aef-88af-80343c562784
名前 / ファイル ライセンス アクション
IPSJ-SLDM23204014.pdf IPSJ-SLDM23204014.pdf (2.1 MB)
Copyright (c) 2023 by the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers This SIG report is only available to those in membership of the SIG.
SLDM:会員:¥0, DLIB:会員:¥0
Item type SIG Technical Reports(1)
公開日 2023-11-10
タイトル
タイトル リーク電流による電荷蓄積型エイジングセンサ回路の提案と実機評価
タイトル
言語 en
タイトル Leakage-current Based Charge Accumulating Aging Sensor Circuit and Evalu- ation of NBTI Using Fabricated Chips
言語
言語 jpn
キーワード
主題Scheme Other
主題 VLSI設計技術
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh
資源タイプ technical report
著者所属
芝浦工業大学工学部情報工学科
著者所属
芝浦工業大学院理工学研究科
著者所属
芝浦工業大学院理工学研究科
著者所属
芝浦工業大学工学部情報工学科/SIT 総合研究所 グリーンエレクトロニクス国際研究センター
著者所属(英)
en
Department of Computer Science and Engineering, Shibaura Institute of Technology
著者所属(英)
en
Department of Computer Science and Engineering, Shibaura Institute of Technology / SIT Research labs. International Research Center for Green Electronics
著者名 福島, 未菜

× 福島, 未菜

福島, 未菜

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王, 松祥

× 王, 松祥

王, 松祥

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永井, 海音

× 永井, 海音

永井, 海音

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宇佐美, 公良

× 宇佐美, 公良

宇佐美, 公良

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著者名(英) Mina, Fukushima

× Mina, Fukushima

en Mina, Fukushima

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Kimiyoshi, Usami

× Kimiyoshi, Usami

en Kimiyoshi, Usami

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論文抄録
内容記述タイプ Other
内容記述 BTI (Bias Temperature Instability) による動作不良が問題視されている.経年劣化により pMOS のしきい値 Vth が変化すると,リーク電流量が変化する.この性質を利用して,リーク電流による電荷が容量に蓄積される時間をカウンタで計測し NBTI を検出するエイジングセンサ回路を提案する.提案回路を搭載した試作チップに対し加速試験を行った結果,ストレス時間とストレス温度を増大させることで,pMOS の Vth 増大に起因して,電荷の蓄積にかかる時間が長くなる現象が観測された.
論文抄録(英)
内容記述タイプ Other
内容記述 Operation failure due to BTI (Bias Temperature Instability) is a critical concern. As the pMOS threshold Vth changes over time, the amount of leakage current changes. Using this property, we propose an aging sensor circuit that detects NBTI by measuring the time it takes for charge due to leakage current to accumulate in the capacitance with a counter. Acceleration tests were conducted on a prototype chip equipped with the proposed circuit. It was observed that the time required for charge accu- mulation increases as the stress time is increased, due to the increase in Vth of the pMOS.
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA11451459
書誌情報 研究報告システムとLSIの設計技術(SLDM)

巻 2023-SLDM-204, 号 14, p. 1-6, 発行日 2023-11-10
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 2188-8639
Notice
SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc.
出版者
言語 ja
出版者 情報処理学会
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Ver.1 2025-01-19 11:41:04.360282
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