高NA対応のオープンソースEUVリソグラフィシミュレータElithoの開発

• Item type: Symposium(1)
• 公開日: 2026-08-19
• タイトル / 言語: ja
• タイトル: 高NA対応のオープンソースEUVリソグラフィシミュレータElithoの開発
• タイトル / 言語: en
• タイトル: Development of Elitho: An Open-Source High-NA EUV Lithography Simulator
• 言語: jpn
• 資源タイプ / 資源タイプ識別子: http://purl.org/coar/resource_type/c_5794
• 資源タイプ: conference paper
• 著者所属: 東京科学大学
• 著者所属: 東京科学大学
• 著者所属: 東京科学大学
• 著者所属: 東京科学大学
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Institute of Science Tokyo
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Institute of Science Tokyo
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Institute of Science Tokyo
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Institute of Science Tokyo
• 著者名: 野原,渓; 下田,将之; 田邊,容由; 高橋,篤司
• 著者名(英): Kei Nohara; Masayuki Shimoda; Hiroyoshi Tanabe; Atsushi Takahashi
• 論文抄録 / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録 / 内容記述: 半導体デバイスの微細化に伴い，EUVリソグラフィにおいて，マスク三次元効果，偏光および高NA化を考慮したシミュレーションの重要性が高まっている．本稿では，標準NAおよび高NAのEUVリソグラフィに対応するオープンソースシミュレータElithoの計算原理，構成および計算手順を示す．Elithoは，3次元導波路モデルおよび弱導波近似に基づき，反射型EUVマスクの電磁場解析からウェハ面上の光強度分布の計算までを一貫して実行する．また，円形照明，輪帯照明および二重極照明，偏光，デフォーカス，マスクパターンならびに吸収体構造を設定可能なグラフィカルユーザインタフェースを備える．これにより，各種計算条件の設定，入力したマスクパターンおよび照明形状の事前確認，ならびに計算結果の可視化を一つの環境で容易に行うことができる．計算例では，x方向に長い長方形開口を2列3行に配置したマスクに対し，NA = 0.33および0.55，DIPOLE XおよびDIPOLE Yの4条件における無偏光空中像を比較した．以上の計算例により，Elithoを用いて，NAおよび照明方向の異なる条件に対する空中像を計算し，その形状および強度分布の特徴を比較できることを示した．
• 論文抄録(英) / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録(英) / 内容記述: As semiconductor device features continue to shrink, lithography simulation must account for mask three-dimensional effects, polarization, and high numerical aperture. This paper presents the computational principles, architecture, and simulation procedure of Elitho, an open-source simulator for standard-NA and high-NA extreme ultraviolet lithography. Based on a three-dimensional waveguide model and the weakly guiding approximation, Elitho provides an integrated workflow from electromagnetic field analysis of a reflective EUV mask to calculation of the optical intensity distribution on the wafer plane. It also provides a graphical user interface for specifying circular, annular, and dipole illumination, polarization, defocus, mask patterns, and absorber structures. The interface facilitates the configuration of simulation conditions, the verification of mask patterns and illumination shapes before execution, and the visualization of calculated results within a single environment. As computational examples, unpolarized aerial images were compared for a mask containing six rectangular openings elongated in the x direction and arranged in two columns and three rows. Four conditions were considered by combining NA values of 0.33 and 0.55 with DIPOLE X and DIPOLE Y illumination. These computational examples demonstrate that Elitho can calculate aerial images under different NA and illumination directions and compare their shapes and intensity-distribution characteristics.
• 書誌情報: DAシンポジウム2026論文集; 巻 2026, p. 20-27, 発行日 2026-08-19
• 出版者 / 言語: ja
• 出版者: 情報処理学会