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3次元積層プロセス技術の検証結果と今後の課題
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/71796
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/71796593d4a25-1754-4576-8a2e-a7fcda9718c7
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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![]() |
Copyright (c) 2011 by the Information Processing Society of Japan
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オープンアクセス |
Item type | SIG Technical Reports(1) | |||||||
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公開日 | 2011-01-13 | |||||||
タイトル | ||||||||
タイトル | 3次元積層プロセス技術の検証結果と今後の課題 | |||||||
言語 | ||||||||
言語 | jpn | |||||||
キーワード | ||||||||
主題Scheme | Other | |||||||
主題 | 招待講演 | |||||||
資源タイプ | ||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh | |||||||
資源タイプ | technical report | |||||||
著者所属 | ||||||||
(株)本田技術研究所 | ||||||||
著者名 |
宮川宣明
× 宮川宣明
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論文抄録 | ||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||
内容記述 | 本講演は積層デバイスの実用化を目指した場合に基本的に必要となる要素技術と量産化技術に関して報告するものである。3 次元構造実現の取り組みにおいて重要なことは以下の各ポイントにある。(1) 積層間の接続歩留まりがほぼ 100% となる方法の獲得 (2) 工業化をはかるにはバッチ処理が可能となる wafer-to-wafer 積層デバイス製造方法の確立 (3) 低コスト化につながる積層工程の短縮化 (4) 積層後のデバイス特性や高信頼性の確認ができなければならない。また、多層配線プロセスを用いた場合に多層配線の金属間絶縁膜の残留応力によりウエハが反る現象が起こり、層間の高精度アライメントが難しくなる。これらの対応策についても触れる。本講演では、上記各要素技術の具体的な対応策やそれらによって得られた技術データを基に、3 層積層デバイスを試作し、評価結果から積層技術の特徴を実データで示す。また、明らかにできた内容と微細化技術の動向を比較し、今後の低コストシステム実現に積層デバイスが貢献できる可能性についても説明する。 | |||||||
書誌レコードID | ||||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||||
収録物識別子 | AN10096105 | |||||||
書誌情報 |
研究報告計算機アーキテクチャ(ARC) 巻 2011-ARC-193, 号 5, p. 1-6, 発行日 2011-01-13 |
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Notice | ||||||||
SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc. | ||||||||
出版者 | ||||||||
言語 | ja | |||||||
出版者 | 情報処理学会 |