スイッチレベルシミュレーションの一手法

• Item type: SIG Technical Reports(1)
• 公開日: 1989-07-11
• タイトル: スイッチレベルシミュレーションの一手法
• タイトル / 言語: en
• タイトル: A Switch - Level Simulation Method based on Event Driven Algorithm
• 言語: jpn
• 資源タイプ / 資源タイプ識別子: http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh
• 資源タイプ: technical report
• 著者所属: 松下電器産業（株）半導体研究センター
• 著者所属: 松下電器産業（株）半導体研究センター
• 著者所属: 松下電器産業（株）半導体研究センター
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Semiconductor Research Center Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Semiconductor Research Center Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Semiconductor Research Center Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
• 著者名: 吉田, 久人; 村岡, 道明; 秋濃俊郎
• 著者名(英): Hisato, Yoshida; Michiaki, Muraoka; Toshiro, Akino
• 論文抄録 / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録 / 内容記述: MOSトランジスタ回路を対象としたイベントドリブン方式に基づくスイッチレベルシミュレーションの一手法について述べる。回路モデルにはRCネットを用い、各節点に等価抵抗値を与えることにより、双方向トランジスタについても正しい伝搬を可能とした。また、回路状態決定フェイズと論理値伝搬フェイズの2フェイズに分離することにより不必要なイベントの発生を抑制した。いくつかのテスト回路に対しプロトタイプを用いて本アルゴリズムの評価を行い、その精度および速度について示した。
• 論文抄録(英) / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録(英) / 内容記述: A switch level simulation method for MOS transistor circuits is proposed. This algorithm consists of two phase, the resistance calculating phase and the logic value updateing phase. The event driven algorithm is adopted into both phases. The events in the first phase are propagated without the delay and those in the second phase are propagated with their real delay. The experimantal results by the prototype simulator are shown for demonstrating the accuracy and the high speed of the proposed method.
• 書誌レコードID / 収録物識別子タイプ: NCID
• 書誌レコードID / 収録物識別子: AA11451459
• 書誌情報: 情報処理学会研究報告システムLSI設計技術（SLDM）; 巻 1989, 号 56(1989-SLDM-048), p. 1-8, 発行日 1989-07-11
• Notice: SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc.
• 出版者 / 言語: ja
• 出版者: 情報処理学会