Item type |
Symposium(1) |
公開日 |
2020-08-31 |
タイトル |
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タイトル |
集積ナノフォトニクスに基づく耐タンパ光論理回路 |
言語 |
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言語 |
jpn |
キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
ナノフォトニクス・ばらつき活用 |
資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 |
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資源タイプ |
conference paper |
著者所属 |
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京都大学大学院情報学研究科 |
著者所属 |
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京都大学工学部電気電子工学科 |
著者所属 |
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京都大学大学院情報学研究科 |
著者所属 |
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京都大学大学院情報学研究科 |
著者所属 |
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NTTナノフォトニクスセンタ/NTT物性科学基礎研究所 |
著者所属 |
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NTTナノフォトニクスセンタ/NTT物性科学基礎研究所 |
著者名 |
塩見, 準
木次, 修也
董, 博語
小野寺, 秀俊
新家, 昭彦
納富, 雅也
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論文抄録 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
本稿では,集積ナノフォトニクスに基づき,電磁的サイドチャネル攻撃に耐性を示す光論理回路の実現手法を提案する.まず,光の位相変調に基づき論理演算する光回路設計手法を提案する.論理値に応じて光信号の位相のみを変調して論理演算を行うことで,回路中を伝搬する光の強度情報を変調することなく論理回路を設計できる.この結果,光素子や導波路から漏れ出す近接場光を通して論理状態を盗聴することが原理上困難になる.また,光位相変調器を制御する電気端子より漏えいする電磁波を限りなくゼロにする回路実装方式を提案する.提案実装方式を施すことで,従来型 CMOS 回路と同等以上の動作速度を保ちながら,CMOS 論理ゲート 1 個と比較して,電気制御端子 1 個で生じる電流時間変化量 (di/dt) を 300 倍以上削減可能であることを示し,攻撃者が使用する磁界プローブに生じる起電力を限りなくゼロにできることを示す. |
書誌情報 |
DAシンポジウム2020論文集
巻 2020,
p. 2-7,
発行日 2020-08-31
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出版者 |
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言語 |
ja |
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出版者 |
情報処理学会 |