再構成可能なリングオシレータを用いたランダムテレグラフノイズの統計解析

• Item type: Symposium(1)
• 公開日: 2015-08-19
• タイトル: 再構成可能なリングオシレータを用いたランダムテレグラフノイズの統計解析
• タイトル / 言語: en
• タイトル: Statistical Analysis of Random Telegraph Noise with Reconfigurable Ring Oscillator
• 言語: jpn
• キーワード / 主題Scheme: Other
• キーワード / 主題: 信頼性
• 資源タイプ / 資源タイプ識別子: http://purl.org/coar/resource_type/c_5794
• 資源タイプ: conference paper
• 著者所属: 京都大学大学院情報学研究科
• 著者所属: 東京大学生産技術研究所
• 著者所属: 京都大学大学院情報学研究科
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Graduate School of Informatics, Kyoto University
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Institute of Industrial Science, the University of Tokyo
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Graduate School of Informatics, Kyoto University
• 著者名: 中井, 辰哉; イスラム, マーフズル; 小野寺, 秀俊
• 著者名(英): Tatsuya, Nakai; A.K.M., Mahfuzul Islam; Hidetoshi, Onodera
• 論文抄録 / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録 / 内容記述: 本稿では，回路動作中のスイッチング状況で発生するランダムテレグラフノイズ (RTN) によるトランジスタ閾値電圧変動の統計モデルを構築する．統計的モデル化において，モデルパラメータのトランジスタサイズ依存性に注目し，サイズの異なるトランジスタの評価結果よりその依存性を抽出する．統計量の取得に，nMOS と pMOS を独立に評価可能な再構成可能なリングオシレータを用い，感度解析により遅延分布を閾値電圧変動分布に換算する．65-nm CMOS プロセスにて試作したチップを用いた測定結果を元に，RTN による閾値電圧変動分布が対数正規分布で良く表現できる事を示し，対数正規分布の各パラメータのサイズ依存性について考察を行う．RTN の統計モデルを用いることにより，時間的に変動する回路遅延の統計的解析が可能になる．
• 論文抄録(英) / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録(英) / 内容記述: This paper proposes a compact statistical model for RTN (Random Telegraph Noise) induced transistor threshold voltage fluctuation. We focus on the dependency of model parameters to the transistor size and extract the dependency through statistical evaluation using a reconfigurable ring oscillator (RO). Using the reconfigurable ring oscillator, we could evaluate nMOS and pMOS transistors independently. The observed delay distributions with a 65-nm test chip are translated to threshold voltage distributions utilizing sensitivity analysis. We report that log-normal distribution can be used to model RTN induced threshold variability. The size dependency of model parameters are then extracted and compared for nMOS and pMOS.
• 書誌情報: DAシンポジウム2015論文集; 巻 2015, p. 95-100, 発行日 2015-08-19
• 出版者 / 言語: ja
• 出版者: 情報処理学会