@techreport{oai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:00092665,
 author = {山村, 頼子 and 久保, 孝富 and 山川, 俊貴 and 池田, 和司 and YorikoYamamura and Takatomi, Kubo and Toshitaka, Yamakawa and Kazushi, Ikeda},
 issue = {23},
 month = {Jun},
 note = {局所脳冷却には，てんかん発作を抑制する効果があることが知られている．このことから，局所脳冷却の埋め込み型てんかん抑制装置への応用が期待されている．しかし，局所脳冷却がてんかん発作を抑制するメカニズムは未だ明らかになっていない．本研究では，温度依存的に反応速度が変化する Hodgkin-HuxIey 型イオンチャネルモデルを用いて新皮質の神経ネットワークのシミュレーションを構築し，冷却に伴うイオンチャネルの反応速度の低下がてんかん発作に与える影響を検討した．, Focal brain cooling has been shown to suppress epileptic seizures, and it has promising applications in implantable therapeutic devices against epilepsy. However, its underlying mechanisms still remain unknown. In this study, we simulated a neocortical neuronal network using Hodgkin-Huxley-type ion channel models with temperature-dependent reaction rates, and investigated the effect of the cooling-induced decrease in reaction rate on epileptic seizures.},
 title = {局所脳冷却のてんかん発作抑制メカニズムの解明に向けたシミュレーション},
 year = {2013}
}