@techreport{oai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:00061900,
 author = {白石, 顕士 and 野里, 博和 and 村川, 正宏 and 坂無, 英徳 and 樋口, 哲也 and 古谷, 立美 and Kenji, shiraishi and Hirokazu, Nosato and Masahiro, Murakawa and Hidenori, Sakanashi and Tetsuya, Higuchi and Tatsumi, Furuya},
 issue = {19(2009-MPS-73)},
 month = {Feb},
 note = {近年，半導体の微細化が進むにつれて，半導体を形成する回路のサイズ（配線幅）が光の波長よりも小さくなっている．そのため，露光光源からの光が，回路パターンが描画された原版（マスクパターン）を通過する際に生じる光の回折現象により，シリコンウェハ上の転写パターンの忠実性が著しく損なわれる光近接効果（OPE:Optical Proximity Effect）が顕著になり，さらなる半導体デバイスの微細化を実現することは，非常に難しくなってきている．そこで，本論文では，複雑化する光近接効果に対応した新しいリソグラフィ技術として，OPEキャンセラー技術を提案し，最適化アルゴリズムと組み合わせることで効果的に光近接効果の削減を図る．提案するOPEキャンセラーの基本原理は，OPEキャンセラー（粒々のパターン）によって最適な光の干渉状態を作り出すことである．検証実験の結果，OPEキャンセラーによりOPEを最大60%の削減を図ることが可能であることを示し，提案する最適化アルゴリズムの工夫によって，精度向上の達成を確認した．, Recently, as the size of semiconductor devices becomes ever smaller, the smallest pitch for a circuit pattern is lower than the exposure wavelength. Therefore, it is difficult to achieve further miniaturization in semiconductor, because optical proximity effect (OPE), which is caused by the diffracted light on a mask pattern, becomes more prominent. In order to solve this OPE problem, we proposes OPE cancel method using optimization algorithm. This proposed method called the OPE canceller. The OPE canceller can produce the best light interference to deny an OPE generated from mask patterns. In conducted experiments, we successfully achieved a 60% reduction of OPE using proposed OPE Canceller.},
 title = {最適化アルゴリズムを用いた光近接効果削減に関する研究},
 year = {2009}
}