@techreport{oai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:00027143,
 author = {小松, 義英 and 石橋, 孝一郎 and 塚田敏郎 and 山本雅晴 and 島崎, 健二 and 深澤, 光弥 and 永田, 真 and Yoshihide, Komatsu and Koichiro, Ishibashi and Masaharu, Yamamoto and Toshiro, Tsukada and Kenji, Shimazaki and Mitsuya, Fukamwa and Makoto, Nagata},
 issue = {102(2005-SLDM-121)},
 month = {Oct},
 note = {セルフアジャスト順方向基板制御方式（SA－FBB）を用いた際の基板ノイズ低減効果、及びランダムばらつき低減効果について報告する。効果を測定、確認するために2つのテストチップを用意した。1つ目のチップには様々な周波数のノイズ源とそのノイズを検出するためのオンチップオシロスコープが搭載していて、基板制御時のノイズ低減効果が測定できる。130nmCMOS、3－wellプロセスを用いた。2つ目のチップには10M個のトランジスタを搭載し、基板制御を行った際のランダムぱらつきの傾向の測定ができる。SA－FBBを用いると基板ノイズ（Wellノイズ）は最大70.2％低減効果があり、ランダムばらつきб(Ids)は最大57.9％程度低減効果がある。, We propose a method of reducing substrate noise and random fluctuations utilizing a self-adjusted forward body bias (SA-FBB) circuit. To achieve this, we designed a test chip that contained an on-chip oscilloscope for detecting dynamic noise from various frequency noise sources, and another test chip that contained 10-M transistors for measuring random fluctuation tendencies. Under SA-FBB conditions, it reduced noise by 69.8% and reduced random fluctuations б(Ids) by 57.9%.},
 title = {電流基板制御方式による基板ノイズ低減及びランダムばらつき抑制効果},
 year = {2005}
}