a－Siカラーフィルタを用いた2μm画素MOSイメージセンサ

• Item type: SIG Technical Reports(1)
• 公開日: 2005-10-20
• タイトル: a－Siカラーフィルタを用いた2μm画素MOSイメージセンサ
• タイトル / 言語: en
• タイトル: A 2.Oμm Pixel Pitch MOS Image Sensor with an Amorphous Si Film Color Filter
• 言語: jpn
• 資源タイプ / 資源タイプ識別子: http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh
• 資源タイプ: technical report
• 著者所属: 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
• 著者所属: 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
• 著者所属: 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
• 著者所属: 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
• 著者所属: 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
• 著者所属: 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Semiconductor Devices Research Center Semiconductor Company Matsushita Electric Industrial Co., Ltd
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Semiconductor Devices Research Center Semiconductor Company Matsushita Electric Industrial Co., Ltd
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Semiconductor Devices Research Center Semiconductor Company Matsushita Electric Industrial Co., Ltd
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Semiconductor Devices Research Center Semiconductor Company Matsushita Electric Industrial Co., Ltd
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Semiconductor Devices Research Center Semiconductor Company Matsushita Electric Industrial Co., Ltd
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Semiconductor Devices Research Center Semiconductor Company Matsushita Electric Industrial Co., Ltd
• 著者名: 笠野, 真弘; 稲葉, 雄一; 森, 三佳; 春日, 繁孝; 村田, 隆彦; 山口, 琢己
• 著者名(英): Masahiro, KASANO; Yuuichi, INABA; Mitsuyoshi, MORI; Shigetaka, KASUGA; Takahiko, MURATA; Takumi, YAMAGUCHI
• 論文抄録 / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録 / 内容記述: 検出回路アンプの4画素共有化技術と新規駆動方式により、l画素あたりのトランジスタ数1.5個を実現し、0．15μmの微細設計ルールを採用することで、約40％の配線面積の削減を実現した。さらに、アモルファスシリコン（a－Si）からなるカラーフィルタを開発し、有機顔料カラーフィルタに比べ1／10の薄型化を達成し、高集光率を実現した。結果として、30％の開口率を有する2．0μm画素サイズMOSイメージセンサを実現した。
• 論文抄録(英) / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録(英) / 内容記述: We have developed a 2.0 x 2.0 μm2 pixel size MOS Inuge sensor with a Ingh aperture ratio of 30%. The key technologies are a newly developed pixel circuit configuration that shares an amplifying circuit among four pixels, a fine design rule of 0.l5μm2 and a thin color filter made up of amorphous silicon. In the new pixel circuit conflgtmtion, the umit pixel has 1.5 transistors. The design rule ofO.15μm enables reduction of wiring area by 40%. The newly developed color filter achieves a thickness of 1/10 of dut of the conventional orgamic pigment color fllter giving rise to high light collection efficiency.
• 書誌レコードID / 収録物識別子タイプ: NCID
• 書誌レコードID / 収録物識別子: AA11451459
• 書誌情報: 情報処理学会研究報告システムLSI設計技術（SLDM）; 巻 2005, 号 102(2005-SLDM-121), p. 55-59, 発行日 2005-10-20
• Notice: SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc.
• 出版者 / 言語: ja
• 出版者: 情報処理学会