SNU耐性を持つ不揮発性フリップフロップの設計

• Item type: SIG Technical Reports(1)
• 公開日: 2024-11-05
• タイトル: SNU耐性を持つ不揮発性フリップフロップの設計
• タイトル / 言語: en
• タイトル: In recent years, the soft error rate in VLSI has been increasing due to miniaturization. Soft errors are temporary errors caused by alpha or neutron rays striking transistors in the circuit. In recent years, various flip-flops with soft error tolerance have been proposed. However, in general, circuits with soft-error tolerance require a larger circuit area and consume more power. Therefore, there is a method to reduce power consumption by temporarily storing data in MTJs, which are nonvolatile memories. In a previous study, Shogo Takahashi et al. proposed a SNU-resistant nonvolatile Flip-Flop using a DICE flip-flop and an MTJ device. However, there was a problem that the SNU tolerance was not sufficient. In this paper, we design a nonvolatile Flip-Flop with higher SNU tolerance by modifying the method of Shogo TAKAHASHI et al.
• 言語: jpn
• 資源タイプ / 資源タイプ識別子: http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh
• 資源タイプ: technical report
• 著者所属: 千葉大学大学院融合理工学府
• 著者所属: 千葉大学大学院工学研究院
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Graduate School of Science and Engineering, Chiba University
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Graduate School of Engineering, Chiba University
• 著者名: 高橋, 京太郎; 難波, 一輝
• 著者名(英): Kyotaro, Takahashi; Kazuteru, Namba
• 論文抄録 / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録 / 内容記述: 近年, VLSI は微細化によってソフトエラー発生率が増加している．ソフトエラーとは，α線や中性子線が回路内部のトランジスタに衝突することによって起こる一時的なエラーのことである．近年の研究では，ソフトエラー耐性を持つ様々なフリップフロップが提案されてきた．しかし，一般的にソフトエラー耐性を持つ回路は回路面積が大きくなり，消費電力も大きくなる．そこで，不揮発性メモリである MTJ にデータを一時退避させることによって消費電力を抑える手法がある．また，先行研究として高橋尚悟らの論文では，DICE フリップフロップと MTJ 素子を用いて，SNU 耐性を持つ不揮発性フリップフロップが提案されている．しかし，SNU 耐性が十分ではないという問題点があった．そこで，本論文では，高橋尚悟らの手法に改良を加えて，より高い SNU 耐性を持つ不揮発性フリップフロップを設計する．
• 論文抄録(英) / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録(英) / 内容記述: In recent years, the soft error rate in VLSI has been increasing due to miniaturization. Soft errors are temporary errors caused by alpha or neutron rays striking transistors in the circuit. In recent years, various flip-flops with soft error tolerance have been proposed. However, in general, circuits with soft-error tolerance require a larger circuit area and consume more power. Therefore, there is a method to reduce power consumption by temporarily storing data in MTJs, which are nonvolatile memories. In a previous study, Shogo Takahashi et al. proposed a SNU-resistant nonvolatile Flip-Flop using a DICE flip-flop and an MTJ device. However, there was a problem that the SNU tolerance was not sufficient. In this paper, we design a nonvolatile Flip-Flop with higher SNU tolerance by modifying the method of Shogo TAKAHASHI et al.
• 書誌レコードID / 収録物識別子タイプ: NCID
• 書誌レコードID / 収録物識別子: AA11451459
• 書誌情報: 研究報告システムとLSIの設計技術（SLDM）; 巻 2024-SLDM-207, 号 14, p. 1-5, 発行日 2024-11-05
• ISSN / 収録物識別子タイプ: ISSN
• ISSN / 収録物識別子: 2188-8639
• Notice: SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc.
• 出版者 / 言語: ja
• 出版者: 情報処理学会