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  1. 研究報告
  2. システムとLSIの設計技術(SLDM)
  3. 2024
  4. 2024-SLDM-206

極低温環境に最適なGain Cell DRAM

https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/240468
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/240468
79210df8-9fee-4286-8a9c-6db6a3559fd5
名前 / ファイル ライセンス アクション
IPSJ-SLDM24206001.pdf IPSJ-SLDM24206001.pdf (1.2 MB)
 2026年10月31日からダウンロード可能です。
Copyright (c) 2024 by the Information Processing Society of Japan
非会員:¥660, IPSJ:学会員:¥330, SLDM:会員:¥0, DLIB:会員:¥0
Item type SIG Technical Reports(1)
公開日 2024-10-31
タイトル
タイトル 極低温環境に最適なGain Cell DRAM
言語
言語 jpn
キーワード
主題Scheme Other
主題 ポスター
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh
資源タイプ technical report
著者所属
京都工芸繊維大学
著者所属
京都工芸繊維大学
著者所属(英)
en
Kyoto Institute of Technology
著者所属(英)
en
Kyoto Institute of Technology
著者名 岩瀬, 朝生

× 岩瀬, 朝生

岩瀬, 朝生

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小林, 和淑

× 小林, 和淑

小林, 和淑

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論文抄録
内容記述タイプ Other
内容記述 誤り訂正機能を持つ量子コンピュータの実現のために制御装置を希釈冷凍機内に配置する研究が進められている.その制御装置の中のキャッシュメモリとして現在は SRAM が使われているがそれに代わる低温環境に有利なメモリとして Gain Cell DRAM を提案する.
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA11451459
書誌情報 研究報告システムとLSIの設計技術(SLDM)

巻 2024-SLDM-206, 号 1, p. 1-3, 発行日 2024-10-31
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 2188-8639
Notice
SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc.
出版者
言語 ja
出版者 情報処理学会
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Ver.1 2025-01-19 07:58:14.533276
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