@inproceedings{oai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:00238252,
 author = {仁科, 拓巳 and 木下, 友晴 and 菊田, 大輔 and 岸田, 亮 and 小林, 和淑 and Takumi, Nishina and Tomoharu, Kishita and Daisuke, Kikuta and Ryo, Kishida and Kazutoshi, Kobayashi},
 book = {DAシンポジウム2024論文集},
 month = {Aug},
 note = {集積回路の微細化によってトランジスタの経年劣化現象の 1 つである BTI (Bias Temperature Instability) が顕在化している．65nm バルクプロセスで試作した BTI 評価用リングオシレータ (RO) を用いて，BTI による長期間の経年劣化現象の実測評価を行った．評価回路は同一の回路によって NBTI 発生型，PBTI 発生型と MOSFET にストレスを与えない NO-STRESS 型を用いた．ストレス電圧を変更して測定することにより，BTI のストレス電圧依存性を評価した．実測結果から，ストレス電圧を上げたときの測定では従来の試験と同様に NBTI による劣化が支配的となったが，ストレス電圧を標準電圧まで下げた測定では従来の結果と異なり NBTI による劣化が小さくなり，PBTI による劣化が支配的となる結果が得られる場合があった．, Miniaturization of integrated circuits has led to transistor's aging degradation such as BTI (Bias Temperature Instability). We measured and evaluated long-term aging degradation with BTI using ring oscillators (RO) to measure BTI-induced degradations fabricated in a 65 nm bulk process. Using this circuits we can measure transistor's degradation caused by NBTI and PBTI. We measured stress-voltage dependence of BTI-induced degradations. As a result of the measurement, when stress-voltage rises, the degradation caused by NBTI became dominant, which is same results as for conventional measurements. On the other hand, when lowering stress-voltage to standard voltage, the degradation coused by NBTI became smaller, while the degradation caused by PBTI became dominant.},
 pages = {177--183},
 publisher = {情報処理学会},
 title = {65nmバルクプロセスのリングオシレータを用いた経年劣化のストレス電圧依存性の実測評価},
 volume = {2024},
 year = {2024}
}