65nmバルクプロセスのリングオシレータを用いた経年劣化のストレス電圧依存性の実測評価

• Item type: Symposium(1)
• 公開日: 2024-08-21
• タイトル: 65nmバルクプロセスのリングオシレータを用いた経年劣化のストレス電圧依存性の実測評価
• タイトル / 言語: en
• タイトル: Measurement of Bias Temperature Instability Dependence on Stress-voltage Using Ring Oscillators in a 65 nm Bulk Processes
• 言語: jpn
• キーワード / 主題Scheme: Other
• キーワード / 主題: ポスター
• 資源タイプ / 資源タイプ識別子: http://purl.org/coar/resource_type/c_5794
• 資源タイプ: conference paper
• 著者所属: 京都工芸繊維大学電子システム工学専攻
• 著者所属: 京都工芸繊維大学電子システム工学専攻
• 著者所属: 京都工芸繊維大学電子システム工学専攻
• 著者所属: 富山県立大学
• 著者所属: 京都工芸繊維大学電子システム工学専攻
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Toyama Prefectural University
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology
• 著者名: 仁科, 拓巳; 木下, 友晴; 菊田, 大輔; 岸田, 亮; 小林, 和淑
• 著者名(英): Takumi, Nishina; Tomoharu, Kishita; Daisuke, Kikuta; Ryo, Kishida; Kazutoshi, Kobayashi
• 論文抄録 / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録 / 内容記述: 集積回路の微細化によってトランジスタの経年劣化現象の 1 つである BTI (Bias Temperature Instability) が顕在化している．65nm バルクプロセスで試作した BTI 評価用リングオシレータ (RO) を用いて，BTI による長期間の経年劣化現象の実測評価を行った．評価回路は同一の回路によって NBTI 発生型，PBTI 発生型と MOSFET にストレスを与えない NO-STRESS 型を用いた．ストレス電圧を変更して測定することにより，BTI のストレス電圧依存性を評価した．実測結果から，ストレス電圧を上げたときの測定では従来の試験と同様に NBTI による劣化が支配的となったが，ストレス電圧を標準電圧まで下げた測定では従来の結果と異なり NBTI による劣化が小さくなり，PBTI による劣化が支配的となる結果が得られる場合があった．
• 論文抄録(英) / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録(英) / 内容記述: Miniaturization of integrated circuits has led to transistor's aging degradation such as BTI (Bias Temperature Instability). We measured and evaluated long-term aging degradation with BTI using ring oscillators (RO) to measure BTI-induced degradations fabricated in a 65 nm bulk process. Using this circuits we can measure transistor's degradation caused by NBTI and PBTI. We measured stress-voltage dependence of BTI-induced degradations. As a result of the measurement, when stress-voltage rises, the degradation caused by NBTI became dominant, which is same results as for conventional measurements. On the other hand, when lowering stress-voltage to standard voltage, the degradation coused by NBTI became smaller, while the degradation caused by PBTI became dominant.
• 書誌情報: DAシンポジウム2024論文集; 巻 2024, p. 177-183, 発行日 2024-08-21
• 出版者 / 言語: ja
• 出版者: 情報処理学会