@inproceedings{oai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:00238240,
 author = {冨永, 孝太郎 and 松尾, 亮祐 and 御堂, 義博 and 三浦, 典之 and 新谷, 道広 and 塩見, 準},
 book = {DAシンポジウム2024論文集},
 month = {Aug},
 note = {低温・低電圧環境で CMOS インバータを動作させた際に通常の CMOS インバータの出力特性（2 値論理動作）とは異なる 3 値論理動作が観測されることを示す．低温下ではサブスレッショルド係数が小さくなることで，サブスレッショルドリーク電流がほぼゼロになる．低電圧動作時に中間的な電圧を入力すると，CMOS インバータのトランジスタが両方ともオフ状態となり，ゲートリーク電流を介して CMOS インバータの入力と出力が導通する．その結果 CMOS インバータの出力が 3 値論理特性を示す．商用 65nm プロセスを用いた実験でこの 3 値論理特性を確認した．この特性を活用し，3 値を保持するメモリセルの実現可能性を議論する．},
 pages = {100--105},
 publisher = {情報処理学会},
 title = {低温・低電圧動作によるCMOSインバータの3値論理特性},
 volume = {2024},
 year = {2024}
}