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アイテム
低温・低電圧動作によるCMOSインバータの3値論理特性
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/238240
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/238240545b5b90-ccd2-4c7c-8c88-dab1adea0b35
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
IPSJ-DAS2024016.pdf (1.8 MB)
2026年8月21日からダウンロード可能です。
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Copyright (c) 2024 by the Information Processing Society of Japan
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| 非会員：¥660, IPSJ:学会員：¥330, SLDM:会員：¥0, DLIB:会員：¥0 | ||
| Item type | Symposium(1) | |||||||||||||||||
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| 公開日 | 2024-08-21 | |||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||
| タイトル | 低温・低電圧動作によるCMOSインバータの3値論理特性 | |||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||
| 主題 | 回路設計 | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | conference paper | |||||||||||||||||
| 著者所属 | ||||||||||||||||||
| 大阪大学大学院情報科学研究科 | ||||||||||||||||||
| 著者所属 | ||||||||||||||||||
| 大阪大学大学院情報科学研究科 | ||||||||||||||||||
| 著者所属 | ||||||||||||||||||
| 大阪大学大学院情報科学研究科 | ||||||||||||||||||
| 著者所属 | ||||||||||||||||||
| 大阪大学大学院情報科学研究科 | ||||||||||||||||||
| 著者所属 | ||||||||||||||||||
| 京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科 | ||||||||||||||||||
| 著者所属 | ||||||||||||||||||
| 大阪大学大学院情報科学研究科 | ||||||||||||||||||
| 著者名 |
冨永, 孝太郎
× 冨永, 孝太郎
× 松尾, 亮祐
× 御堂, 義博
× 三浦, 典之
× 新谷, 道広
× 塩見, 準
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| 論文抄録 | ||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||
| 内容記述 | 低温・低電圧環境で CMOS インバータを動作させた際に通常の CMOS インバータの出力特性（2 値論理動作）とは異なる 3 値論理動作が観測されることを示す．低温下ではサブスレッショルド係数が小さくなることで，サブスレッショルドリーク電流がほぼゼロになる．低電圧動作時に中間的な電圧を入力すると，CMOS インバータのトランジスタが両方ともオフ状態となり，ゲートリーク電流を介して CMOS インバータの入力と出力が導通する．その結果 CMOS インバータの出力が 3 値論理特性を示す．商用 65nm プロセスを用いた実験でこの 3 値論理特性を確認した．この特性を活用し，3 値を保持するメモリセルの実現可能性を議論する． | |||||||||||||||||
| 書誌情報 |
DAシンポジウム2024論文集 巻 2024, p. 100-105, 発行日 2024-08-21 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||
| 出版者 | 情報処理学会 | |||||||||||||||||
