@inproceedings{oai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:00238234,
 author = {野崎, 翔太郎 and 高橋, 篤司 and Shotaro, Nozaki and Atsushi, Takahashi},
 book = {DAシンポジウム2024論文集},
 month = {Aug},
 note = {本研究では目標パターンの辺をセグメントに分割し，各セグメントに対応する評価点の光強度を要求光強度となるようにセグメントを移動させることでマスクパターンを得る手法を提案する．先行研究では，近傍評価点の要求光強度を均一であるとみなし，セグメントの移動量を決定することによりマスクパターンを得る手法が提案された．その手法により得られたマスクパターンにより，目標パターンの辺の中央部では要求光強度を高い精度で達成できたが，コーナー部分の精度が課題だった．本研究では，セグメントにおける近傍の不足光振幅と自身のそれの比率をセグメント位置の決定に用いることで，コーナー部分の精度を高める手法を提案する．実験により，その成果を確認した．, In this paper, we propose a method that modifies a mask pattern so that the light intensity at the evaluation points approach to the target light intensity by moving the segments which are a partition of the edges of the target pattern. In a previous work, a method that modifies a mask pattern by assuming that the required light intensities at neighbor evaluation points are uniform was proposed. The mask pattern obtained by this method achieves the target light intensity at the center of an edge of the target pattern with high accuracy, but the accuracy at the corners was poor. In this paper, we propose a method that improves the accuracy at the corners by taking the required light amplitudes in neighbor evaluation points into account. Experiments confirmed that the proposed method obtains a mask pattern that achieves the target intensities at the corners as well as the center with high accuracy.},
 pages = {57--64},
 publisher = {情報処理学会},
 title = {OPCにおいて要求光強度が近傍で不均一な状況におけるマスクパターン修正方法},
 volume = {2024},
 year = {2024}
}