@techreport{oai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:00228903,
 author = {杉本, 椋汰朗 and 田中, 聡 and 吉田, 毅 and 藤島, 実 and Ryotaro, Sugimoto and Satoshi, Tanaka and Takeshi, Yoshida and Minoru, Fujishima},
 issue = {36},
 month = {Nov},
 note = {毎秒 100 ギガビットの高速通信を実現する 300GHz 帯で動作するトランシーバ回路を実現するにはオンチップ上の伝送線路のみならず，実装基板上の伝送線路も有効に活用することが重要である．本報告では差動信号をチップと基板間でやり取りする PAD 構造について検討する．高周波用の PAD としては 2 つの接地 PAD に信号線 PAD を挟む GSG PAD が良く用いられる．しかし例えばチップ上の差動配線を基板に移し，再びチップに戻すなど，複雑な構成をとる場合には，サイズの小型化の観点から GSSG PAD が望ましい．GSSG PAD の特性を確認するには電磁界シミュレーションによる PAD 部の散乱行列 (S) パラメータの抽出が必要である．電磁界シミュレーションでは接地端子の定義により，求められる S パラメータが異なる．本報告では S パラメータが異なる事について考察する．, In order to realize transceiver circuits operating in the 300-GHz band, which can achieve 100-Gigabit-per-second high-speed communications, it is important to effectively utilize not only the transmission lines on the chip but also those on the mounting board. In this report, we discuss a PAD structure that exchanges differential signals between a chip and a substrate. The GSG PAD, in which a signal line PAD is sandwiched between two ground PADs, is often used as a PAD for high-frequency applications. To confirm the characteristics of the GSSG PAD, it is necessary to extract the scattering matrix (S) parameters of the PAD section by electromagnetic field simulation. In the electromagnetic field simulation, the S-parameters to be extracted are different depending on the definition of the ground terminal. This paper discusses the different S-parameters.},
 title = {高周波差動GSSG PADにおける電磁界シミュレーションのグランド定義の差に起因するSパラメータの違いの解析},
 year = {2023}
}