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アイテム
低動作電圧なCMOS-MEMSスイッチの試作と評価
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/228844
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/228844d540d690-9aba-4fc5-bdd2-2dd037d947e6
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
IPSJ-SLDM23203009.pdf (625.7 kB)
2025年10月31日からダウンロード可能です。
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Copyright (c) 2023 by the Information Processing Society of Japan
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| 非会員：¥660, IPSJ:学会員：¥330, SLDM:会員：¥0, DLIB:会員：¥0 | ||
| Item type | SIG Technical Reports(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2023-10-31 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | 低動作電圧なCMOS-MEMSスイッチの試作と評価 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| タイトル | Prototyping and evaluation of CMOS-MEMS switches with low operating voltage | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | ポスター | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh | |||||||||
| 資源タイプ | technical report | |||||||||
| 著者所属 | ||||||||||
| 東京電機大学 | ||||||||||
| 著者所属 | ||||||||||
| 東京電機大学 | ||||||||||
| 著者所属(英) | ||||||||||
| en | ||||||||||
| Tokyo Denki University | ||||||||||
| 著者所属(英) | ||||||||||
| en | ||||||||||
| Tokyo Denki University | ||||||||||
| 著者名 |
後河内, 駿介
× 後河内, 駿介
× 小松, 聡
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| 論文抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 近年，モバイル通信システムにおける 5G の普及により，RF スイッチの周波数範囲やスイッチング時間，制御電圧，信頼性などの仕様要件が求められている．半導体製品の RF スイッチの代替に向けた RF-MEMS スイッチが注目されているが，5G システムで主に求められる 5V 程度の低動作電圧，良好な RF 特性，信頼性の 3 点に優れた RFMEMS スイッチの実現が課題となっている．そこで，コプレーナ導波路，メンブレン，およびワイドビームで構成された RF-MEMS 容量性シャントスイッチが提案されている．本研究では，MEMS スイッチの固着状態を防ぐ設計をすることで信頼性の確保を目的とする．提案手法として，メンブレンの両端にばねを設計することで復元力により固着状態の改善を目標とする．本研究ではばねとメンブレンで構成した上部電極と引き下げ電極で構成された MEMS スイッチをオン・セミコンダクタ―社の CMOS0.8μm を用いて設計した．現段階では，ファウンドリによって完成したチップをウェットエッチングで MEMS 構造を解放した．今後の構想として，試作した MEMS スイッチに電圧を印加した時に，下部電極とメンブレンの接触状態，非接触状態が確立出来ているか，設計したワイドビームが固着状態を防いでいるか確認し，MEMS スイッチの性能向上を設計面の観点から研究する方針である．また，RF性能を確かめるため，RF 信号伝送時の絶縁性，挿入損失についても測定する方針である． | |||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||
| 収録物識別子 | AA11451459 | |||||||||
| 書誌情報 |
研究報告システムとLSIの設計技術（SLDM） 巻 2023-SLDM-203, 号 9, p. 1-3, 発行日 2023-10-31 |
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| ISSN | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||
| 収録物識別子 | 2188-8639 | |||||||||
| Notice | ||||||||||
| SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc. | ||||||||||
| 出版者 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 出版者 | 情報処理学会 | |||||||||
