@inproceedings{oai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:00227373,
 author = {太田, 慎一 and イスラム, マーフズル and 久門, 尚史 and Shinichi, Ota and Mahfuzul, Islam and Takashi, Hisakado},
 book = {DAシンポジウム2023論文集},
 month = {Aug},
 note = {近年，低消費電力なオンチップ温度センサを実現する手法として，MOSFET のドレイン電流の温度特性を利用する方法が提案されている．しかし，従来提案されてきた手法では高い精度で温度を推定できる温度範囲が狭いことが課題となっている．そこで，低消費電力かつ高精度な温度センシングを実現する方法として，多数の微細 MOSFET から得られる統計量を利用する手法が提案されている．本研究では，二種類の微細 MOSFET から得られる統計量の差分をとることで広い温度範囲で線形なパラメータが得られることを利用する温度センシング手法を提案する．この性質を利用することで，-40 から 140℃ という広い温度領域で高精度な温度推定が可能であることを示す．, In recent years, on-chip temperature sensors utilizing temperature dependent characteristics found in the drain currents of scaled MOSFETs operating in the sub-threshold region are widely researched as a low-power temperature sensing method. However, existing designs have yet to achive a wide temperature sensing range in which accurate temperature estimation is possible. As a possible solution to this problem, a temperature sensing method utilizing a temperature-dependent statistical property found in scaled MOSFETs operating in the sub-threshold region has been recently proposed. Our research proposes a temperature sensing method which utilizes the difference that can be calculated from two statistical values obtained from two MOSFETs with different sizings. This paper shows that the proposed method is capable of accurate temperature estimation within a wide temperature range of -40 to 140℃.},
 pages = {41--47},
 publisher = {情報処理学会},
 title = {微細MOSFETの統計的性質を利用する-40～140℃で動作可能なCMOS温度センサ},
 volume = {2023},
 year = {2023}
}