@techreport{oai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:00214052,
 author = {小平, 行秀 and 中山, 晴貴 and 野中, 尚貴 and 松井, 知己 and 高橋, 篤司 and 児玉, 親亮 and Yukihide, Kohira and Haruki, Nakayama and Naoki, Nakayama and Tomomi, Matsui and Atsushi, Takahashi and Chikaaki, Kodama},
 issue = {37},
 month = {Nov},
 note = {半導体プロセスの微細化のために，光リソグラフィ技術の進展が求められている．光リソグラフィの解像度を改善する技術のうち，ウェハ上に転写されるパタンの忠実性をマスク最適化によって改善する光近接効果補正 (Optical Proximity Correction, OPC) は，光リソグラフィ技術の進展において重要な役割を担っている．このマスク最適化問題は 0-1 2 次計画問題に定式化できることが知られている．近年，0-1 2 次計画問題を高速に解く量子アニーリングが注目を集めている．そこで本稿では，マスク最適化問題に対して，シミュレーテッド量子アニーリングを用いて，ターゲットパタンへの忠実性とプロセスばらつきへの耐性を持つマスクを生成する手法を検討する．計算機実験において，シミュレーテッド量子アニーリングを用いた手法と既存手法に対して，得られたマスクのターゲットパタンへの忠実性とプロセスばらつきへの耐性，計算時間について評価を行う．, To realize continuously scaling down of technology node, progressing manufacturing process by optical lithography is required. In resolution enhancement techniques in the optical lithography, Optical Proximity Correction (OPC), which improves shape fidelity of formed patterns on wafers to designed target patterns by mask optimization, is essential. It is known that the mask optimization can be formulated as 0-1 Quadratic Programming problem (0-1QP). Recently, Quantum Annealing, which solves 0-1QP in a short computation time, has attracted attention. In this paper, we examine a method using Simulated Quantum Annealing (SQA) for the mask optimization problem to obtain a mask with high fidelity to target patterns as well as high tolerance to process variation. In experiments, we evaluate the method using SQA and existing methods in fidelity to target patterns, tolerance to process variation, and execution time.},
 title = {シミュレーテッド量子アニーリングを用いたマスク最適化手法},
 year = {2021}
}