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  1. 研究報告
  2. システムとLSIの設計技術(SLDM)
  3. 2021
  4. 2021-SLDM-196

データアウェア・ストア機能を持つMTJベース不揮発性SRAM回路の提案と評価

https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/214012
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/214012
835de2e2-7671-4964-8774-b42fb3ba4f4f
名前 / ファイル ライセンス アクション
IPSJ-SLDM21196003.pdf IPSJ-SLDM21196003.pdf (2.4 MB)
Copyright (c) 2021 by the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers This SIG report is only available to those in membership of the SIG.
SLDM:会員:¥0, DLIB:会員:¥0
Item type SIG Technical Reports(1)
公開日 2021-11-24
タイトル
タイトル データアウェア・ストア機能を持つMTJベース不揮発性SRAM回路の提案と評価
タイトル
言語 en
タイトル MTJ-based non-volatile SRAM circuit with data-aware store control for energy saving
言語
言語 jpn
キーワード
主題Scheme Other
主題 低電力回路技術およびソフトエラー対策
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh
資源タイプ technical report
著者所属
芝浦工業大学大学院理工学研究科電気電子情報工学専攻
著者所属
芝浦工業大学工学部情報工学科
著者所属(英)
en
Graduate School of Engineering and Science, Shibaura Institute of Technology
著者所属(英)
en
Department of Computer Science and Engineering, Shibaura Institute of Technology
著者名 宮内, 陽里

× 宮内, 陽里

宮内, 陽里

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宇佐美, 公良

× 宇佐美, 公良

宇佐美, 公良

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著者名(英) Hisato, Miyauchi

× Hisato, Miyauchi

en Hisato, Miyauchi

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Kimiyoshi, Usami

× Kimiyoshi, Usami

en Kimiyoshi, Usami

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論文抄録
内容記述タイプ Other
内容記述 近年,LSI のリーク電力の増大が問題となっており,その削減手法の 1 つに,磁気トンネル接合 (MTJ:Magnetic Tunnel Junction) 素子を利用した不揮発性パワーゲーティング (NVPG:Non Volatile Power Gating) がある.NVPG では,SRAM のような揮発性の記憶回路を MTJ によって不揮発化することで,PG によってデータが保持出来ない問題を解決している.しかし,MTJ は書き込みエネルギーが大きいという問題がある.そのため,本研究では,現在書き込まれている値と同値であれば MTJ への書き込みをスキップする機能(DAS : Data Aware Store)を備えることにより,低消費エネルギーを実現する SRAM を提案し,65nm プロセスでのシミュレーション評価を行った.
論文抄録(英)
内容記述タイプ Other
内容記述 In recent years, the increase of leakage power in LSIs has become a problem, and one of the methods to reduce the leakage power is Non-Volatile Power Gating (NVPG) using Magnetic Tunnel Junction (MTJ) devices. In NVPG, volatile storage circuits such as SRAM are made non-volatile by MTJ, thereby solving the problem of data retention by PG. However, MTJ has a problem of high write energy. In this study, we proposed an SRAM with low energy consumption by equipping it with a function that skips writing to MTJ if the value is the same as the currently written value (DAS: Data Aware Store), and conducted simulation evaluation in a 65nm process.
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA11451459
書誌情報 研究報告システムとLSIの設計技術(SLDM)

巻 2021-SLDM-196, 号 3, p. 1-6, 発行日 2021-11-24
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 2188-8639
Notice
SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc.
出版者
言語 ja
出版者 情報処理学会
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Ver.1 2025-01-19 16:56:07.824303
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