@techreport{oai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:00214010,
 author = {小谷, 萌香 and 中島, 隆一 and 井置, 一哉 and 古田, 潤 and 小林, 和淑 and Moeka, Kotani and Ryuichi, Nakajima and Kazuya, Ioki and Jun, Furuta and Kazutoshi, Kobayashi},
 issue = {1},
 month = {Nov},
 note = {本稿では 130 nm プロセスのフリップフロップ（FF）とトランジスタと配線を追加した面積，遅延，電力オーバーヘッドの小さい提案回路のソフトエラー耐性をデバイスシミュレーションを用いて評価した．回路シミュ レーションによるソフトエラー耐性評価ではレイアウト依存性を評価することができない．ここではレイアウト構造を TCAD により再現し，レイアウト依存性の評価を行った．ソフトエラー耐性の低い FF と比較して提案回路の臨界 LET 値は 2.5 倍に増加し，Cross Section は 30% に減少した．実測と回路シミュレーションでソフトエラー耐性の相関係数が 0.34 と低かった測定条件においてデバイスシミュレーションを用いることで相関係数は 0.74 へと向上した．, We compare the soft error tolerance of conventional flip-flops (FFs) and the proposed radiation-hard FF with small area, delay and power overheads by adding transistors and wires in a 130 nm process by using device simulation. Circuit simulations cannot evaluate layout dependence of soft errors. By constructing layout structures on TCAD, the layout dependence is evaluated. The critical LET of the proposed circuit becomes 2.5x larger than the conventional FF and the cross section of the proposed circuit is decreased to 30%. The correlation coefficient of the soft error tolerance on a specific condition between the measurement results and the circuit simulation results is 0.34, while that between the measurement results and the device simulation results becomes 0.74.},
 title = {TCADを用いた回路とレイアウト構造によるフリップフロップのソフトエラー耐性の評価},
 year = {2021}
}