@techreport{oai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:00213786,
 author = {水野, 拓己 and 張, 啓迪 and 西川, 広記 and 孔, 祥博 and 冨山, 宏之},
 issue = {7},
 month = {Nov},
 note = {多くの IoT デバイスはサイドチャネル攻撃の危険にさらされている．サイドチャネル攻撃の中でも，ターゲットとなるデバイスの電力を解析することで回路の秘密鍵を特定する電力解析攻撃が有名である．本論文では，暗号回路における性能と，サイドチャネル攻撃耐性との相関を調査する．C 言語で記述された AES 回路を高位合成した後，電力解析し，T検 定によってサイドチャネル攻撃耐性を評価する．},
 title = {高位合成における最適化のサイドチャネル攻撃耐性への影響},
 year = {2021}
}