@inproceedings{oai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:00198730,
 author = {大島, 國弘 and 齋藤, 成晃 and 新谷, 道広 and 栗原, 一徳 and 小笠原, 泰弘 and 佐藤, 高史 and Kunihiro, Oshima and Michiaki, Saito and Michihiro, Shintani and Kazunori, Kuribara and Yasuhiro, Ogasahara and Takashi, Sato},
 book = {DAシンポジウム2019論文集},
 month = {Aug},
 note = {有機トランジスタは，バイアス・ストレスすなわちゲート電界とオン電流により劣化が進むと考えられている．どちらが支配的な要因であるかを特定することは，劣化メカニズムを理解しバイアス・ストレス劣化をより正確にモデル化する上で重要である．本稿では，異なるストレス条件下において有機トランジスタの電流を測定し，バイアス・ストレス劣化の主要因を特定する．また，測定結果に見られる変動パラメータの回復成分を考慮可能なモデル式を提案する．提案モデル式では，キャリア移動度としきい値電圧を変動パラメータとして，シリコントランジスタの負バイアス温度不安定性を表すモデルであるTrapping-Detrappingモデルを参考に回復成分を表す．測定結果と提案モデル式を比較し，提案モデル式がストレス条件の変化に伴う回復をよく表せることを示した．, In this paper, we discuss bias stress voltage degradation of an organic thin film transistor (OTFT) on the basis of measurement results. Investigating the main factor of the degradation caused by the bias stress voltage is important to understand the mechanism of the degradation and to build an accurate device model. Through the measurement results, we show that the gate voltage affects more significantly on the short term device degradation than drain current flow, and that the degradation recovers partially once the given bias voltage is removed. We propose a novel bias stress voltage degradation model that can express the model-parameter degradation and its recovery. We also show that the proposed model can fit the temporal shift of the measured model parameters very well.},
 pages = {214--219},
 publisher = {情報処理学会},
 title = {有機薄膜トランジスタの実測に基づくバイアス・ストレス劣化の要因とモデル化に関する検討},
 volume = {2019},
 year = {2019}
}