超微弱電流センシングのためのMOSFET超高抵抗構成手法の提案

• Item type: SIG Technical Reports(1)
• 公開日: 2019-03-10
• タイトル: 超微弱電流センシングのためのMOSFET超高抵抗構成手法の提案
• タイトル / 言語: en
• タイトル: MOSFET-based ultra high resistance configuration for ultra low current sensing
• 言語: jpn
• キーワード / 主題Scheme: Other
• キーワード / 主題: 回路・デバイス
• 資源タイプ / 資源タイプ識別子: http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh
• 資源タイプ: technical report
• 著者所属: 北九州市立大学大学院国際環境工学研究科情報工学専攻
• 著者所属: 北九州市立大学大学院国際環境工学研究科情報工学専攻
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Graduate School of Environmental Engineering, The University of Kitakyushu
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Graduate School of Environmental Engineering, The University of Kitakyushu
• 著者名: 張, 興淮; 中武, 繁寿
• 著者名(英): Xinghuai, Zhang; Shigetoshi, Nakatake
• 論文抄録 / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録 / 内容記述: 研究は，数 pA ～ nA までの超微弱電流を検出するために，I-V 変換回路に利用される 1G Ω 以上の超高抵抗をオンチップで構成する手法を提案する．具体的には，遮断領域の MOSFET を直並列で接続することで，所望の抵抗値を実現する．直並列接続の段数に違いによる I-V 変換特性，温度特性，面積の影響をシミュレーションにより確認し，適切な構成手法を導出する．また，既存 Poly 抵抗との比較も行い，提案 MOSFET 抵抗の実用性についても議論する．
• 論文抄録(英) / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録(英) / 内容記述: In this work, we propose a method to configure an ultrahigh resistance of IGΩ or more on a chip, which is used for I-V conversion circuit, in order to detect ultra-weak currents of several pA ～ nA. In our method, a desired resistance value is realized by connecting MOSFETs in the cutoff region in series-parallel. The influence of I-V conversion characteristic, temperature characteristic, area due to the difference in the number of stages of series-parallel connection is confirmed by simulation. Hence, an appropriate configuration method is derived. We also compare with the existing Poly resistance and discuss the practicality of proposed MOSFET resistance.
• 書誌レコードID / 収録物識別子タイプ: NCID
• 書誌レコードID / 収録物識別子: AN10096105
• 書誌情報: 研究報告システム・アーキテクチャ（ARC）; 巻 2019-ARC-235, 号 15, p. 1-6, 発行日 2019-03-10
• ISSN / 収録物識別子タイプ: ISSN
• ISSN / 収録物識別子: 2188-8574
• Notice: SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc.
• 出版者 / 言語: ja
• 出版者: 情報処理学会