遅延を抑えたスタック構造によるSOIプロセス向け耐ソフトエラーFFの提案および実測評価

• Item type: SIG Technical Reports(1)
• 公開日: 2018-11-28
• タイトル: 遅延を抑えたスタック構造によるSOIプロセス向け耐ソフトエラーFFの提案および実測評価
• タイトル / 言語: en
• タイトル: A Radiation-hard Low-delay Flip-Flop with Stacking Structure for SOI Process
• 言語: jpn
• キーワード / 主題Scheme: Other
• キーワード / 主題: 信頼性設計
• 資源タイプ / 資源タイプ識別子: http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh
• 資源タイプ: technical report
• 著者所属: 京都工芸繊維大学
• 著者所属: 京都工芸繊維大学
• 著者所属: 京都工芸繊維大学
• 著者所属: 京都工芸繊維大学
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Kyoto Institute of Technology,
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Kyoto Institute of Technology,
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Kyoto Institute of Technology,
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Kyoto Institute of Technology,
• 著者名: 榎原, 光則; 山田, 晃大; 古田, 潤; 小林, 和淑
• 著者名(英): Mitsunori, Ebara; Kodai, Yamada; Jun, Furuta; Kazutoshi, Kobayashi
• 論文抄録 / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録 / 内容記述: 本稿では，ソフトエラーに比較的強靭である SOI プロセス向けの耐ソフトエラーフリップフロップを提案しその実測結果を述べる．SOI 構造がデバイスレベルのソフトエラー対策として有効であり，さらにスタック構造とすることで，よりソフトエラーに強靭になる．SOI 構造とスタック構造を用いてソフトエラー耐性を持ち，動作速度の速い回路を提案する．提案回路を 65 nm thin BOX FDSOI プロセスで試作し，重イオンを用いてエラー耐性を評価した．提案回路は通常の DFF のインバータ， トライステートインバータをスタックした構造と比べ 21% 動作速度が速い．提案回路は Ar イオン照射時ではエラー数が 0 であり，Kr イオンを 60°の角度で照射した際にエラーが発生したが，DFF と比べエラー率は 1/120 である．Xe イオン垂直照射時では DFF に比べ垂直照射ではエラー率が 1/105，60°では 1/18 である．
• 論文抄録(英) / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録(英) / 内容記述: We proposed a radiation-hard low-delay flip-flop with the stacking structure to suppress soft errors in a 65 nm thin-BOX FDSOI process. The Fully-Depleted Silicon On Insulator (FDSOI) structure is stronger against soft errors than bulk. We evaluated soft-error tolerance and angle dependence on soft errors by heavy ion irradiation. D-Q delay of the proposed FF is 21% faster than that of a FF which consists of stacked inverters and tristate-inverters. There was no error on the proposed FF by Ar irradiation. The proposed FF is 120x and 18x stronger against soft errors than a conventional DFF by Kr and Xe irradiation respectively.
• 書誌レコードID / 収録物識別子タイプ: NCID
• 書誌レコードID / 収録物識別子: AA12149313
• 書誌情報: 研究報告組込みシステム（EMB）; 巻 2018-EMB-49, 号 39, p. 1-6, 発行日 2018-11-28
• ISSN / 収録物識別子タイプ: ISSN
• ISSN / 収録物識別子: 2188-868X
• Notice: SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc.
• 出版者 / 言語: ja
• 出版者: 情報処理学会