@techreport{oai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:00192612,
 author = {東, 梨奈 and 小平, 行秀 and 松井, 知己 and 高橋, 篤司 and 児玉, 親亮 and 野嶋, 茂樹 and Rina, Azuma and Yukihide, Kohira and Tomomi, Matsui and Atsushi, Takahashi and Chikaaki, Kodama and Shigeki, Nojima},
 issue = {40},
 month = {Nov},
 note = {半導体製造における回路パターンの限界寸法の縮小のため，光リソグラフィによる半導体加工技術の進歩が求められている．光リソグラフィの解像度を改善させる技術のうち，マスクの整形によってウエハ上に転写されるパタンの忠実性を改善する技術を光近接効果補正 (Optical Proximity Correction, OPC) と呼び，光リソグラフィにおいて微細化の重要な役割を担っている．一般に OPC によるマスク補正手法はルールベース OPC とモデルベース OPC の 2 つのクラスに分けられ，微細化が進むにつれてモデルベース OPC の研究が広く行われている．本稿では，マスク補正問題をターゲットのパタン辺周りの光強度コントラストの最大化させる 0-1 二次計画問題に定式化し，Forcing Rule，勾配中間法，勾配判定法のそれぞれによって解くことで，設計パタンへの忠実性とプロセスばらつきへのマージンを同時に向上させるmodel-based OPC を提案する．, Due to continuous shrinking of Critical Dimensions (CD) of layout pattern in VLSI, advances of manufacturing process in optical lithography are required. As a main stream among resolution enhancement techniques, Optical Proximity Correction (OPC), which improves shape fidelity of formed patterns on wafers against designed target patterns by mask correction, is essential to achieve scale down of CD in the optical lithography. In general, mask correction methods in OPC are classified into two classes: rule-based OPC and model-based OPC. Recently, model-based OPC is broadly studied. In this paper, we propose a model-based OPC which formulates the maximization of contrast of intensity around edges of target patterns as 0-1 Quadratic Programming, and which is solved by using Forcing Rule, Gradient Midpoint Method or Gradient Deciding Method. By these proposed methods, shape fidelity and tolerance against process variation are improved simultaneously.},
 title = {0-1二次計画法によるプロセスばらつきを考盧したモデルベースマスク補正手法},
 year = {2018}
}