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  1. 研究報告
  2. システムとLSIの設計技術(SLDM)
  3. 2018
  4. 2018-SLDM-184

マスク最適化のための2次計画法を用いたピクセルベースOPC手法

https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/187462
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/187462
3b1fd78f-22cb-4428-b4b9-c4b7aad3d146
名前 / ファイル ライセンス アクション
IPSJ-SLDM18184006.pdf IPSJ-SLDM18184006.pdf (1.3 MB)
Copyright (c) 2018 by the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers This SIG report is only available to those in membership of the SIG.
SLDM:会員:¥0, DLIB:会員:¥0
Item type SIG Technical Reports(1)
公開日 2018-05-09
タイトル
タイトル マスク最適化のための2次計画法を用いたピクセルベースOPC手法
タイトル
言語 en
タイトル Pixel-based OPC using Quadratic Programming for Mask Optimization
言語
言語 eng
キーワード
主題Scheme Other
主題 回路設計技術
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh
資源タイプ technical report
著者所属
会津大学コンピュータ理工学部
著者所属
会津大学コンピュータ理工学部
著者所属(英)
en
School of Computer Science, the University of Aizu
著者所属(英)
en
School of Computer Science, the University of Aizu
著者名 東, 梨奈

× 東, 梨奈

東, 梨奈

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小平, 行秀

× 小平, 行秀

小平, 行秀

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著者名(英) Rina, Azuma

× Rina, Azuma

en Rina, Azuma

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Yukihide, Kohira

× Yukihide, Kohira

en Yukihide, Kohira

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論文抄録
内容記述タイプ Other
内容記述 半導体製造における回路パターンの限界寸法の縮小のために,光リソグラフィによる半導体加工技術の進歩が求められている.光リソグラフィの解像度を改善させる技術のうち,マスクの整形によってウェハ上に転写されたパタンの忠実性を改善する技術を光近接効果補正 (Optical Proximity Correction, OPC) と呼び,光リソグラフィにおいて微細化の重要な役割を担っている.一般に OPC によるマスクの補正方法はルールベース OPC とモデルベース OPC の 2 つのクラスに分けられ,微細化が進むにつれてモデルベース OPC の研究が広く行われている.また,モデルベース OPC のうちピクセルベース OPC は,数理モデルによりマスクの開口部 ・ 遮蔽部をピクセルごとに決めてマスク全体の形状を求める補正方法であり,複雑な形状のマスクが得られることが知られている.本稿では, ターゲットのパタン辺周りの光強度コントラストを 2 次計画法によって最大化させる,プロセスばらつきを考慮したピクセルベース OPC を提案する.
論文抄録(英)
内容記述タイプ Other
内容記述 Due to continuous shrinking of Critical Dimensions (CD) in semiconductor manufacturing, advance of process technology in optical lithography is required. As a main stream among resolution enhance techniques to improve resolution, Optical Proximity Correction (OPC), which raises shape fidelity of formed patterns on wafers by mask correction to designed patterns, is essential to achieve scale down of CD in the optical lithography. In general, methods of mask correction by OPC are divided into two classes: rule-based OPC and model-based OPC. Recently, model-based OPC is broadly studied. Moreover, pixel-base OPC, which is one of model-base OPCs, decides opening or shielding part for each pixel in the mask and forms entire mask shape by mathematical models. This pixel-base OPC is known that it outputs very complicated mask geometry. In this paper, we propose process variation-aware pixel-based OPC which maximizes contrast of intensity around edges of target patterns by using Quadratic Programming.
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA11451459
書誌情報 研究報告システムとLSIの設計技術(SLDM)

巻 2018-SLDM-184, 号 6, p. 1-6, 発行日 2018-05-09
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 2188-8639
Notice
SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc.
出版者
言語 ja
出版者 情報処理学会
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Ver.1 2025-01-20 02:15:35.536540
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