@techreport{oai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:00186491,
 author = {松尾, 駿 and 三輪, 忍 and 八巻, 隼人 and 本多, 弘樹},
 issue = {21},
 month = {Feb},
 note = {シリコン半導体の微細化は限界に近づきつつあることから，シリコントランジスタに代わるデバイスが近年注目を集めている．本研究では，そのようなデバイスとして，カーボンナノチューブ (CNT) トランジスタに着目する．CNT トランジスタはトランジスタのチャネルに数ナノメートル級の CNT 材料を使用した LSI であり，シリコントランジスタよりも低消費電力で高速なスイッチング動作が可能と言われている．本稿では，CNT トランジスタを用いたプロセッサのアーキテクチャを検討するため，プロセッサ内の代表的な回路である加算器と SRAM について，それぞれをシリコン ・ トランジスタと CNT トランジスタによって実装した場合の性能と電力を HSPICE により比較する．},
 title = {HSPICEを用いたシリコン回路とカーボンナノチューブ回路の比較評価},
 year = {2018}
}