| Item type |
SIG Technical Reports(1) |
| 公開日 |
2018-02-28 |
| タイトル |
|
|
タイトル |
HSPICEを用いたシリコン回路とカーボンナノチューブ回路の比較評価 |
| 言語 |
|
|
言語 |
jpn |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
回路・アーキテクチャ |
| 資源タイプ |
|
|
資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
|
資源タイプ |
technical report |
| 著者所属 |
|
|
|
電気通信大学 |
| 著者所属 |
|
|
|
電気通信大学 |
| 著者所属 |
|
|
|
電気通信大学 |
| 著者所属 |
|
|
|
電気通信大学 |
| 著者所属(英) |
|
|
|
en |
|
|
The University of Electro-Communications |
| 著者所属(英) |
|
|
|
en |
|
|
The University of Electro-Communications |
| 著者所属(英) |
|
|
|
en |
|
|
The University of Electro-Communications |
| 著者所属(英) |
|
|
|
en |
|
|
The University of Electro-Communications |
| 著者名 |
松尾, 駿
三輪, 忍
八巻, 隼人
本多, 弘樹
|
| 論文抄録 |
|
|
内容記述タイプ |
Other |
|
内容記述 |
シリコン半導体の微細化は限界に近づきつつあることから，シリコントランジスタに代わるデバイスが近年注目を集めている．本研究では，そのようなデバイスとして，カーボンナノチューブ (CNT) トランジスタに着目する．CNT トランジスタはトランジスタのチャネルに数ナノメートル級の CNT 材料を使用した LSI であり，シリコントランジスタよりも低消費電力で高速なスイッチング動作が可能と言われている．本稿では，CNT トランジスタを用いたプロセッサのアーキテクチャを検討するため，プロセッサ内の代表的な回路である加算器と SRAM について，それぞれをシリコン ・ トランジスタと CNT トランジスタによって実装した場合の性能と電力を HSPICE により比較する． |
| 書誌レコードID |
|
|
収録物識別子タイプ |
NCID |
|
収録物識別子 |
AA11451459 |
| 書誌情報 |
研究報告システムとLSIの設計技術（SLDM）
巻 2018-SLDM-183,
号 21,
p. 1-6,
発行日 2018-02-28
|
| ISSN |
|
|
収録物識別子タイプ |
ISSN |
|
収録物識別子 |
2188-8639 |
| Notice |
|
|
|
SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc. |
| 出版者 |
|
|
言語 |
ja |
|
出版者 |
情報処理学会 |
IPSJ-SLDM18183021.pdf (596.9 kB)
