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  1. 研究報告
  2. システムとLSIの設計技術(SLDM)
  3. 2015
  4. 2015-SLDM-169

薄膜 BOX-SOI を用いた基板バイアス印加温度センサの検討

https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/185185
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/185185
c0c30961-ae10-44a7-96e5-6cd900ae323e
名前 / ファイル ライセンス アクション
IPSJ-SLDM15169018.pdf IPSJ-SLDM15169018.pdf (604.2 kB)
Copyright (c) 2015 by the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers This SIG report is only available to those in membership of the SIG.
SLDM:会員:¥0, DLIB:会員:¥0
Item type SIG Technical Reports(1)
公開日 2015-01-22
タイトル
タイトル 薄膜 BOX-SOI を用いた基板バイアス印加温度センサの検討
タイトル
言語 en
タイトル Temperature sensor applying Body Bias in Silicon-on-Thin-BOX
言語
言語 jpn
キーワード
主題Scheme Other
主題 製造・性能考慮手法
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh
資源タイプ technical report
著者所属
芝浦工業大学大学院理工学研究科電気電子情報工学専攻
著者所属
芝浦工業大学大学院理工学研究科電気電子情報工学専攻
著者所属
芝浦工業大学工学部情報工学科
著者所属(英)
en
Graduate School of Engineeringand Science, Shibaura Institute of Technology
著者所属(英)
en
Graduate School of Engineeringand Science, Shibaura Institute of Technology
著者所属(英)
en
Department of Information Science and Engineering, Shibaura Institute of Technology
著者名 小坂, 翼

× 小坂, 翼

小坂, 翼

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中村, 昌平

× 中村, 昌平

中村, 昌平

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宇佐美, 公良

× 宇佐美, 公良

宇佐美, 公良

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著者名(英) Tsubasa, Kosaka

× Tsubasa, Kosaka

en Tsubasa, Kosaka

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Shohei, Nakamura

× Shohei, Nakamura

en Shohei, Nakamura

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Kimiyoshi, Usami

× Kimiyoshi, Usami

en Kimiyoshi, Usami

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論文抄録
内容記述タイプ Other
内容記述 微細化による性能向上はリーク電流の指数関数的な増加による消費電力の増大とプロセスばらつきにより阻まれている.これらを解決するために FD-SOI デバイスの 1 つである薄膜 BOX-SOI (SOTB:Silicon on Thin BOX) が提案されている.またトランジスタには発熱の問題がある.発熱はトランジスタの劣化や故障を引き起こし,チップの動作に異常をきたす.そのため,チップ上の温度を測定する温度センサが必要となっている.この問題を解決するために,本論文では薄膜 BOX-SOI に向けた温度センサを提案する.提案する温度センサを実装した SOTB とバルク 65nm プロセスの試作チップを用いて測定を行い,従来のバルクトランジスタと比較して温度に対する分解能を増大させ,チップごとのプロセスばらつきを基板バイアスによって低減できることを示す.
論文抄録(英)
内容記述タイプ Other
内容記述 The performance advancement by the transistor scaling is blocked by increase of power consumption and process variation. Silicon on Thin BOX(SOTB) solve these problems. In addition, there is a problem that the temperature changes in a transistor. The temperature change causes deterioration and the trouble of the transistor and causes malfunction of the chip. The temperature sensor which measures the temperature in the chip is necessary. In this paper, a temperature sensor for SOTB is proposed. We demonstrate that the temperature sensor for SOTB enables us to achieve high precision of the thermometry and mitigate the process variation at every chip by Body Bias than a conventional bulk transistor.
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA11451459
書誌情報 研究報告システムとLSIの設計技術(SLDM)

巻 2015-SLDM-169, 号 18, p. 1-6, 発行日 2015-01-22
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 2188-8639
Notice
SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc.
出版者
言語 ja
出版者 情報処理学会
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Ver.1 2025-01-20 03:02:22.743991
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