| Item type |
SIG Technical Reports(1) |
| 公開日 |
2017-07-19 |
| タイトル |
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タイトル |
内部抵抗の大きい電源によるマイクロコントローラV850の動作 |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
電源・冷却 |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| 著者所属 |
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慶應義塾大学理工学部 |
| 著者所属 |
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慶應義塾大学理工学部 |
| 著者所属(英) |
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en |
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Dept. of ICS, Keio University |
| 著者所属(英) |
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en |
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Dept. of ICS, Keio University |
| 著者名 |
畔上, 佳太
天野, 英晴
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| 著者名(英) |
Keita, Azegami
Hideharu, AMANQt
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| 論文抄録 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
半導体チップの小型化 ・ 高性能化によって,高性能大消費電力のサーバー用チップから末端のセンサノードに至るまで,デジタルデバイスが活用される場は広がり続けている.更に様々な場所で使えるように,センサノードなどでデータ加工などを行うプロセッサを太陽光や振動などの自然再生エネルギーで動作させることが望まれる.しかし太陽電池などの不安定な電源は内部抵抗が大きく,利用先が限られていた.日本の国家プロジェクト LEAP より開発された SOTB テクノロジは低電力 ・ 低電圧を特徴としたトランジスタで,ボディバイアスによるリーク電力の抑制効果が高い.これによって不安定で内部抵抗の大きい電源でも運用可能になる.自然再生エネルギーを用いる場合,電源電圧やボデイバイアスの最適化に用いられる従来の式をそのまま適用することは,その大きな内部抵抗から難しい.よって本研究ではこの内部抵抗を考慮した電源電圧 ・ ボデイバイアス最適化手法について考察し,その結果をマイクロコントローラの実チップ測定と比較して,どの程度適用可能か解析した. |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN10096105 |
| 書誌情報 |
研究報告システム・アーキテクチャ(ARC)
巻 2017-ARC-227,
号 9,
p. 1-6,
発行日 2017-07-19
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| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
2188-8574 |
| Notice |
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SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc. |
| 出版者 |
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言語 |
ja |
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出版者 |
情報処理学会 |