@techreport{oai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:00177000,
 author = {畔上, 佳太 and 増山, 滉一朗 and 奥原, 颯 and 天野, 英晴 and Keita, Azegami and Koichiro, Masuyama and Hayate, Okuhara and Hideharu, Amano},
 issue = {28},
 month = {Jan},
 note = {センサシステム等の環境埋め込み型デバイスでは，太陽光や振動等の自然エネルギーの活用が望ましい．しかし，太陽電池などの不安定な電源は内部抵抗が大きく，大規模なデバイスに活用することが難しくによって利用出来る先が限られていた．日本の国家プロジェクト LEAP より開発された SOTB テクノロジは低電力 ・ 低電圧を特徴としたトランジスタで，ボディバイアスによるリーク電力の抑制効果が高く，このような限られた電源においても大規模なデジタルデバイスの運用を可能とする．自然再生エネルギーを用いる場合，電源電圧やボディバイアスの最適化に用いられる従来の式は大きな内部抵抗を考慮したものではなく，そのまま用いることが困難である．本稿では，内部抵抗を考慮した電源電圧 ・ ボデイバイアスの最適化を提案する．また，提案手法を粗粒度再構成可能アクセラレータの実チップに適用し，実際に動作が可能である点を解析した．},
 title = {自然エネルギーによる低電力リコンフィギュアラブルアクセラレータの動作},
 year = {2017}
}