WEKO3
アイテム
リードソロモン符号に基づいたマルチレベルセル不揮発性メモリ書き込み削減
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/174547
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/174547eca3f76b-45ca-45a2-a3dc-034385203272
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
IPSJ-DAS2016031.pdf (1.1 MB)
|
Copyright (c) 2016 by the Information Processing Society of Japan
|
|
| オープンアクセス | ||
| Item type | Symposium(1) | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2016-09-07 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | リードソロモン符号に基づいたマルチレベルセル不揮発性メモリ書き込み削減 | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | システムレベル設計 | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 | |||||||||||
| 資源タイプ | conference paper | |||||||||||
| 著者所属 | ||||||||||||
| 早稲田大学 | ||||||||||||
| 著者所属 | ||||||||||||
| 早稲田大学 | ||||||||||||
| 著者所属 | ||||||||||||
| 早稲田大学 | ||||||||||||
| 著者所属(英) | ||||||||||||
| en | ||||||||||||
| Waseda University | ||||||||||||
| 著者所属(英) | ||||||||||||
| en | ||||||||||||
| Waseda University | ||||||||||||
| 著者所属(英) | ||||||||||||
| en | ||||||||||||
| Waseda University | ||||||||||||
| 著者名 |
多和田, 雅師
× 多和田, 雅師
× 柳澤, 政生
× 戸川, 望
|
|||||||||||
| 論文抄録 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||
| 内容記述 | 近年 IoT デバイスの普及に伴いノーマリーオフ可能な不揮発性メモリの需要が高まっている．特に 1 個のメモリセルに複数の状態を割り当てるマルチレベルセル不揮発性メモリが主流である．マルチレベルセル不揮発性メモリは書き込み耐久性が低いという問題がある．この問題を解決するため誤り訂正符号に基づくメモリ冗長化を考える．情報をメモリセルをに書き込むとき，冗長化されているため書き込み方のパターンが多くなる．書き込み内容に加えて書き込み位置を情報とみなせるため，少ない書き換えメモリセルでも多くの情報を保存できる．リードソロモン符号に基づきメモリセルの状態を書き換え，書き換えるメモリセルの個数を削減し書き込み耐久性を向上させる． | |||||||||||
| 書誌情報 |
DAシンポジウム2016論文集 巻 2016, 号 31, p. 163-168, 発行日 2016-09-07 |
|||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||
| 出版者 | 情報処理学会 | |||||||||||
