@techreport{oai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:00145994,
 author = {広渕, 崇宏 and 高野, 了成},
 issue = {5},
 month = {Nov},
 note = {次世代不揮発性メモリはリフレッシュ電力が不要である反面，書き込み時の消費電力が DRAM よりも大きいとされる．そこで，STT-MRAM と DRAM を搭載した計算機を想定して，仮想マシンに対して動的にメモリ割り当てを最適化するハイパーバイザを試作した．仮想マシンに対して透過的に，書き込みが頻出するページを DRAM に配置し，消費電力を抑制することを目指す．提案ハイパーバイザは，DRAM および MRAM から仮想マシンのメモリを割り当てる機構，軽量なメモリアクセスのトレース機構，ページマイグレーションを判断するアルゴリズム，DRAM と MRAM 間でページをスワップする機構からなる．Qemu/KVM に対して提案ハイパーバイザを開発している．本稿では Work-in-Progress として，現状のプロトタイプ実装を紹介する．簡易な実験を行った結果，提案機構が書き込みの多いページを DRAM へ動的に再配置できることを確認した．},
 title = {次世代不揮発性メモリを利用するハイパーバイザの試作},
 year = {2015}
}