@techreport{oai:ipsj.ixsq.nii.ac.jp:00101419,
 author = {小平, 行秀 and 松井, 知己 and 横山, 陽子 and 児玉, 親亮 and 高橋, 篤司 and 野嶋, 茂樹 and 田中, 聡 and Yukihide, Kohira and Tomomi, Matsui and Yoko, Yokoyama and Chikaaki, Kodama and Atsushi, Takahashi and Shigeki, Nojima and Satoshi, Tanaka},
 issue = {6},
 month = {May},
 note = {次世代リソグラフイ技術として，2 つのマスクをパタン形成のために，3 つ目のマスクを形成したパタンを削除するためのカットとして使用する LELECUT タイプのトリプルパターニングが議論されている．本稿では，与えられたレイアウトのパタンを形成するために，半正定植緩和法とランダマイズド算法を用いて LELECUT トリプルパターニングの 3 つのマスクのパタン形状を求める手法を提案する．, One of the most promising techniques in the 14 nm logic node and beyond is triple patterning lithography (TPL). Recently, LELECUT type TPL technology, where the third mask is used to cut the patterns, is discussed to alleviate native conflict and overlay problems in LELELE type TPL. In this paper, we formulate LELECUT decomposition problem which maximizes the compliance to the lithography and apply positive semidefinite relaxations. In our proposed methods, LELECUT decomposition is obtained from an optimum solution of the positive semidefinite relaxations by randomized rounding technique.},
 title = {半正定値緩和法を用いた LELECUT トリプルパターニングのためのレイアウト分割手法},
 year = {2014}
}