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          <dc:title>バンドギャップ基準電源回路を対象としたBIST手法の評価</dc:title>
          <dc:title>Evaluation of BIST Scheme for Band Gap Reference Circuit</dc:title>
          <dc:creator>猪岡, 柚香</dc:creator>
          <dc:creator>橘, 昌良</dc:creator>
          <dc:creator>Yuka, Inooka</dc:creator>
          <dc:creator>Masayoshi, Tachibana</dc:creator>
          <dc:subject>回路設計・評価</dc:subject>
          <dc:description>本論文ではBGR（Band-Gap Reference）回路に対するMOSFETのオープンやショートなどの致命的な故障を検出するBIST手法の概要と実測による評価について述べる．提案した0.18μmCMOSテクノロジで設計したオンチップBIST手法は，外部テスト信号を使用し，カタストロフィック故障の検出を行う．論理素子からなるテスト応答解析器でBGR回路内から3つのテストポイントを取り，期待される正常値と比較し，得られたテスト結果をデジタル信号として出力する．シミュレーションでは，8.8%の低い面積オーバヘッドで92.4%の高い故障検出率が得られた．</dc:description>
          <dc:description>This paper presents a Built-In Self-Test (BIST) scheme for detecting catastrophic faults of a MOSFET in the bandgap reference circuit and evaluation of this scheme. The proposed on-chip BIST scheme in 0.18-μm CMOS technology has offered catastrophic faults detection with external test signal. Output response analyzer composed of logical components compares expected voltages and observed voltages on three test-points in bandgap reference which is improved for test operation outputs the test result as a digital signal. The demonstrations show that fault coverage and area overhead are 92.4% and 8.8%, respectively.</dc:description>
          <dc:description>conference paper</dc:description>
          <dc:publisher>情報処理学会</dc:publisher>
          <dc:date>2019-08-21</dc:date>
          <dc:format>application/pdf</dc:format>
          <dc:identifier>DAシンポジウム2019論文集</dc:identifier>
          <dc:identifier>2019</dc:identifier>
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