オンチップリークモニタ回路を用いたNBTI測定手法の提案と有効性

• Item type: SIG Technical Reports(1)
• 公開日: 2014-01-21
• タイトル: オンチップリークモニタ回路を用いたNBTI測定手法の提案と有効性
• タイトル / 言語: en
• タイトル: Methodology for NBTI measurement using an on-chip leakage monitor circuit
• 言語: jpn
• キーワード / 主題Scheme: Other
• キーワード / 主題: 性能・製造性考慮手法
• 資源タイプ / 資源タイプ識別子: http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh
• 資源タイプ: technical report
• 著者所属: 芝浦工業大学大学院理工学研究科電気電子情報工学専攻
• 著者所属: 芝浦工業大学工学部情報工学科
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Graduate School of Science and Engineering, Shibaura Institute of Technology
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Department of Information Science and Engineering, Shibaura Institute of Technology
• 著者名: 佐藤, 貴晃; 宇佐美, 公良
• 著者名(英): Takaaki, Sato; Kimiyoshi, Usami
• 論文抄録 / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録 / 内容記述: 近年の微細化によって、トランジスタの経年劣化現象が LSI の正常動作を妨げる要因として顕著になってきている。そのため、この経年劣化現象から引き起こされる回路の劣化度合いを測定し、LSI が正常動作できるように、補正をかける手法が必要になる。本研究ではトランジスタ経年劣化現象の中でも、特に代表的な NBTI(Negative Bias Tmperature InstabiIity) に対し劣化の測定手法を提案し有効性を示す。なお、この NBTI 測定手法は機器に組み込まれた状態で、回路上のリーク量から NBTI による劣化をモニタする方式である。
• 論文抄録(英) / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録(英) / 内容記述: Miniaturization in recent years, LSI's aging has become prominent as a factor that prevents the normal operation. By measure the aging and add a correction, LSI returns to normal operation. This paper is among the transistor aging phenomenon the proposed measurement method of NBTI(Negative Bias Temperature Instability) degradation. Further, this NBTI measurement technique is a method in a state on-chip the device, to monitor the degradation of NBTI leak rate of the circuit.
• 書誌レコードID / 収録物識別子タイプ: NCID
• 書誌レコードID / 収録物識別子: AA11451459
• 書誌情報: 研究報告システムLSI設計技術（SLDM）; 巻 2014-SLDM-164, 号 31, p. 1-6, 発行日 2014-01-21
• Notice: SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc.
• 出版者 / 言語: ja
• 出版者: 情報処理学会