ワード線電位を適応的に降圧して読み出しマージンを拡大した低電圧動作 6Tr CMOS SRAM

• Item type: SIG Technical Reports(1)
• 公開日: 2013-09-30
• タイトル: ワード線電位を適応的に降圧して読み出しマージンを拡大した低電圧動作 6Tr CMOS SRAM
• タイトル / 言語: en
• タイトル: A Low Supply Voltage, Large “Read” Margin, Six-Transistor CMOS SRAM Employing Adaptively Lowering Word Line Voltage
• 言語: jpn
• 資源タイプ / 資源タイプ識別子: http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh
• 資源タイプ: technical report
• 著者所属: 中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻
• 著者所属: 中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Graduate School of Science and Engineering, Chuo University
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Graduate School of Science and Engineering, Chuo University
• 著者名: 小林, 伸彰; 榎本, 忠儀
• 著者名(英): Nobuaki, Kobayashi; Tadayoshi, Enomoto
• 論文抄録 / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録 / 内容記述: ワード線電位 (Vww) を読み出し時に降圧し、書き込み時に昇圧する電圧レベル変換 (Self-controllable Voltage Level ; SVL) 回路を、メモリセル電位 (Vmm) を読み出し字に昇圧し、書き込み時に降圧する SVL 回路を開発した。これらを 2K-bit 6-Tr SRAM に適用し、90-nm CMOS 技術で試作・評価した。しきい値電圧 (Vt) のばらつきがワーストケースの場合、従来形 SRAM は供給電圧 （Vww) ＜ 1.15Ｖ で読み出しマージン （RM） が 0 Ｖ となったが、本 SRAM (改良形 SRAM） は Vww ＜ 0.59 Ｖ で RM が 0 Ｖ となった。これより、SVL 回路は読み出しマージンを大幅に拡大できることがわかった。同様に、データ読み出しが不可能な Vdd 範囲は、従来形 SRAM が Vww ＜1.15 Ｖ であったのに対して、改良形 SRAM は Vww ＜0.41 Ｖ であった。これより、SVL 回路は読み出し動作可能な Vww 範囲も大幅に低減できる事ができた。なお、SVL 回路の面積オーバーヘッドは 0.677％ である。
• 論文抄録(英) / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録(英) / 内容記述: We developed and applied a new circuit, called the "Self-controllable Voltage Level (SVL)" circuit, to achieve an expanded "read" margin in a low supply voltage 90-nm, 2-kbit, six-transistor CMOS SRAM. The SVL circuit can adaptively lower and higher the word-line voltages for a "read" and "write" operation, respectively. At the threshold voltage fluctuation of 6σ, an operating Vdd range was less than 1.15 V at the "read" margin of 0 V for the conventional SRAM, while on the other hand, the operating Vdd range was less than 0.59 V at that for the newly developed SRAM. This result showed that the SVL circuit can significantly expand the "read" margin of the SRAM. An area overhead was 0.677 % that of the conv. SRAM.
• 書誌レコードID / 収録物識別子タイプ: NCID
• 書誌レコードID / 収録物識別子: AA11451459
• 書誌情報: 研究報告システムLSI設計技術（SLDM）; 巻 2013-SLDM-162, 号 13, p. 1-6, 発行日 2013-09-30
• Notice: SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc.
• 出版者 / 言語: ja
• 出版者: 情報処理学会