電圧センスアンプを用いたReRAMの多値化のための読み出し・書き込み回路

• Item type: SIG Technical Reports(1)
• 公開日: 2013-01-24
• タイトル: 電圧センスアンプを用いたReRAMの多値化のための読み出し・書き込み回路
• タイトル / 言語: en
• タイトル: Programming Circuit of Multi-level ReRAM Utilizing Voltage Sense-Amplifier
• 言語: jpn
• キーワード / 主題Scheme: Other
• キーワード / 主題: 次世代メモリシステム
• 資源タイプ / 資源タイプ識別子: http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh
• 資源タイプ: technical report
• 著者所属: 金沢大学理工学域
• 著者所属: 金沢大学医薬保健学域
• 著者所属: 金沢大学理工学域
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Faculty of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Faculty of Health Sciences, Kanazawa University
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Faculty of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University
• 著者名: 伊部, 泰貴; 中山, 和也; 北川, 章夫
• 著者名(英): Taiki, Ibe; Kazuya, Nakayama; Akio, Kitagawa
• 論文抄録 / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録 / 内容記述: ReRAM の多値化に向け，既存の電圧センスアンプを利用した読み出し回路を提案する． ReRAM 素子のピット線とグランドの間に直列抵抗を挿入し，直列抵抗に加わる電圧とリファレンス電圧を比較する．この回路方式では，複数のセンスアンプとリファレンス電圧を用いることにより， ReRAM に多値記録された抵抗を 1 サイクルで読み出すことが可能となる．また，書き込み動作において，読み出した結果を用いて多重書き込みを自動で回避し，無駄なエネルギーを削減することも出来る．
• 論文抄録(英) / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録(英) / 内容記述: For multi-level ReRAM memory, a novel read circuit using a VSA (Voltage Sense Amplifier) is proposed. This circuit compares readout voltage to reference voltage by auxiliary serial resistance between bit line and ground. In this circuit, it becomes possible to read multi-level resistance of ReRAM by using multiple sense amplifiers for 1 cycle. For write operation, this circuit is able to evade the wasteful overwrite operation to reduce the wasteful; energy.
• 書誌レコードID / 収録物識別子タイプ: NCID
• 書誌レコードID / 収録物識別子: AN10096105
• 書誌情報: 研究報告計算機アーキテクチャ（ARC）; 巻 2013-ARC-203, 号 11, p. 1-5, 発行日 2013-01-24
• Notice: SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc.
• 出版者 / 言語: ja
• 出版者: 情報処理学会