| Item type |
Symposium(1) |
| 公開日 |
2023-08-23 |
| タイトル |
|
|
タイトル |
ストレス分離スターブ型発振器を用いた経年劣化現象の実測評価 |
| タイトル |
|
|
言語 |
en |
|
タイトル |
Measurement Evaluation of Aging Degradation Phenomena Using Stress Separation Starved Oscillators |
| 言語 |
|
|
言語 |
jpn |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
テスト・信頼性，ポスター |
| 資源タイプ |
|
|
資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 |
|
資源タイプ |
conference paper |
| 著者所属 |
|
|
|
東京理科大学 |
| 著者所属 |
|
|
|
富山県立大学 |
| 著者所属 |
|
|
|
京都工芸繊維大学 |
| 著者所属 |
|
|
|
東京理科大学 |
| 著者所属 |
|
|
|
東京理科大学 |
| 著者所属 |
|
|
|
東京理科大学 |
| 著者所属(英) |
|
|
|
en |
|
|
Tokyo University of Science |
| 著者所属(英) |
|
|
|
en |
|
|
Toyama Prefectural University |
| 著者所属(英) |
|
|
|
en |
|
|
Kyoto Institute of Technology |
| 著者所属(英) |
|
|
|
en |
|
|
Tokyo University of Science |
| 著者所属(英) |
|
|
|
en |
|
|
Tokyo University of Science |
| 著者所属(英) |
|
|
|
en |
|
|
Tokyo University of Science |
| 著者名 |
戸田, 莉彩
岸田, 亮
小林, 和淑
松浦, 達治
宮内, 亮一
兵庫, 明
|
| 著者名(英) |
Risa, Toda
Ryo, Kishida
Kazutoshi, Kobayashi
Tatsuji, Matsuura
Ryouiti, Miyauchi
Akira, Hyogo
|
| 論文抄録 |
|
|
内容記述タイプ |
Other |
|
内容記述 |
集積回路に用いられる MOSFET の微細化に伴い，バイアス温度不安定性（Bias Temperature Instability, BTI）などの経年劣化現象による信頼性問題が顕在化している．本研究では，ストレス分離スターブ型リングオシレータ（RO）を用いて BTI の実測評価をする．ストレス分離スターブ型 RO には，被測定スターブ素子（DUT）と 11 段 RO の両方が劣化する構造と，DUT は劣化せず 11 段 RO のみが劣化する構造がある．この 2 つの構造で同時に測定を行い，経年劣化量の差分を出すことで，DUT である 1 つの PMOS で発生する BTI による劣化量を求めることができる．測定結果から，電源電圧依存性が見られた． |
| 論文抄録(英) |
|
|
内容記述タイプ |
Other |
|
内容記述 |
As MOSFETs used in integrated circuits continue to shrink in size, reliability problems caused by aging degradation phenomena such as bias temperature instability (BTI) are becoming more apparent. We measure and evaluate BTI using stress separation starved ringoscillators (ROs). There are two types of stress separation starved ROs: the structure degrades both the DUT and the RO, and the other structure degrades only the RO without any degradation of the DUT. Simultaneous measurement is performed with thes two structures. By subtracting the amount of degradation over time, the amount of degradation due to BTI in DUT (one PMOS), can be determined. The measurement results show a supply voltage depend. |
| 書誌情報 |
DAシンポジウム2023論文集
巻 2023,
p. 193-198,
発行日 2023-08-23
|
| 出版者 |
|
|
言語 |
ja |
|
出版者 |
情報処理学会 |
IPSJ-DAS2023031.pdf (1.4 MB)
