チャージポンプによる動的基板バイアス制御を用いた低電圧動作SRAMの検討

• Item type: SIG Technical Reports(1)
• 公開日: 2018-11-28
• タイトル: チャージポンプによる動的基板バイアス制御を用いた低電圧動作SRAMの検討
• タイトル / 言語: en
• タイトル: Low voltage operation SRAM utilizing dynamic body bias control with charge pump circuit
• 言語: jpn
• キーワード / 主題Scheme: Other
• キーワード / 主題: 回路設計・設計技術
• 資源タイプ / 資源タイプ識別子: http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh
• 資源タイプ: technical report
• 著者所属: 埼玉大学大学院理工学研究科
• 著者所属: 埼玉大学大学院理工学研究科
• 著者所属: 埼玉大学大学院理工学研究科
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): SAITAMA UNIVERSITY GRADUATE SCHOOL OF SCIENCE AND ENGINEERING
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): SAITAMA UNIVERSITY GRADUATE SCHOOL OF SCIENCE AND ENGINEERING
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): SAITAMA UNIVERSITY GRADUATE SCHOOL OF SCIENCE AND ENGINEERING
• 著者名: 中鉢, 洸太; 西澤, 真一; 伊藤, 和人
• 著者名(英): Kota, Chubachi; Shinichi, Nishizawa; Kazuhito, Ito
• 論文抄録 / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録 / 内容記述: 集積回路の低消費エネルギー化には低電源電圧化が有効である．しかし集積回路を構成する SRAM は論理回路と比較して最低動作電圧が高い問題がある．低電圧化によってトランジスタのオン電流が減少すると，非活性セルのリーク電流によって低電圧動作が困難になる．ビットセルのリーク電流を選択的に制御する手法として，基板バイアス制御が挙げられる．本研究では，チャージポンプが生成した逆方向基板バイアス電圧を，レベル変換回路を用いたスイッチにより動的に各ビットセルに対して印加する手法を提案する．商用 65nm FDSOI CMOS プロセスにおける設計実験の結果，最低動作電圧 0.23V を達成した．
• 論文抄録(英) / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録(英) / 内容記述: Lowering the supply voltage is one of a solution to achieve higher energy efficiency for VLSI circuits. Minimum operation voltage of the SRAM circuit is higher than that of the digital circuit thus it limits the minimum supply voltage for overall VLSI circuit. The minimum operation voltage for the SRAM circuit is limited by the leakage current of the access transistors inside the SRAM bit cells. Body bias technique is one solution to control the leakage current of access transistors. In this work, we design an SRAM circuit with a charge pump to minimize its operation voltage. The body voltage of the SRAM bit cell is individually biased to achieve both higher on-current and off lower leakage current. Experimental results in commercial 65-nm process show body bias technique achieves SRAM operation voltage 0.23 V.
• 書誌レコードID / 収録物識別子タイプ: NCID
• 書誌レコードID / 収録物識別子: AA11451459
• 書誌情報: 研究報告システムとLSIの設計技術（SLDM）; 巻 2018-SLDM-185, 号 4, p. 1-6, 発行日 2018-11-28
• ISSN / 収録物識別子タイプ: ISSN
• ISSN / 収録物識別子: 2188-8639
• Notice: SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc.
• 出版者 / 言語: ja
• 出版者: 情報処理学会