ランダムテレグラフノイズのNMOSまたはPMOSのみの影響を測定可能なリングオシレータによる実測評価

• Item type: Symposium(1)
• 公開日: 2018-08-22
• タイトル: ランダムテレグラフノイズのNMOSまたはPMOSのみの影響を測定可能なリングオシレータによる実測評価
• タイトル / 言語: en
• タイトル: Measurements and Evaluations of Random Telegraph Noise to Separate Influences from NMOS and PMOS Using Ring Oscillators
• 言語: jpn
• キーワード / 主題Scheme: Other
• キーワード / 主題: 回路設計
• 資源タイプ / 資源タイプ識別子: http://purl.org/coar/resource_type/c_5794
• 資源タイプ: conference paper
• 著者所属: 東京理科大学理工学部電気電子情報工学科
• 著者所属: 京都工芸繊維大学工芸科学研究科電子システム工学専攻
• 著者所属: 京都工芸繊維大学工芸科学研究科電子システム工学専攻
• 著者所属: 京都工芸繊維大学工芸科学研究科電子システム工学専攻
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Department of Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Tokyo University of Science
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology
• 著者所属(英): en
• 著者所属(英): Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology
• 著者名: 岸田, 亮; 駒脇, 拓弥; 古田, 潤; 小林, 和淑
• 著者名(英): Ryo, Kishida; Takuya, Komawaki; Jun, Furuta; Kazutoshi, Kobayashi
• 論文抄録 / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録 / 内容記述: ランダムテレグラフノイズ （RTN） は動的に不規則な集積回路素子の特性変動現象であり，微細化に伴って顕在化している信頼性問題であるため，実測評価が重要である．本稿では RTN の測定効率向上と，NMOS のみ，または PMOS のみの影響を評価できる回路を提案し，チップ試作と実測により評価する．最大および最小周波数を記録する回路を搭載することで，約 7,500 倍測定効率が向上した．抵抗素子を用いることで NMOS と PMOS の影響を分離し，実測により NMOS の方が PMOS よりも約 1.5 倍 RTN の影響が大きいことを明らかにした．RTN の電源電圧依存性もこの回路を用いて測定し，電源電圧を高くするほど，RTN の影響を抑制できることがわかった．
• 論文抄録(英) / 内容記述タイプ: Other
• 論文抄録(英) / 内容記述: Random Telegraph Noise (RTN) is one of main causes of dynamic characteristic fluctuations in MOSFETs. Measurements and evaluations of RTN are important because RTN becomes dominant as device sizes are downscaled to nanometer. In this paper, we propose circuits to improve measurement efficiency and to separate the RTN effect in NMOS or PMOS. Measurement efficiency improved as much as 7,500 times by registers to store maximum and minimum frequencies. RTN effect in NMOS or PMOS is separated using poly-resistors. As measurement results, NMOS is more sensitive than PMOS by 1.5 times. RTN depending on the supply voltage are also measured. Higher supply voltage suppresses RTN.
• 書誌情報: DAシンポジウム2018論文集; 巻 2018, p. 81-86, 発行日 2018-08-22
• 出版者 / 言語: ja
• 出版者: 情報処理学会